[发明专利]超薄栅氧的制备方法有效
| 申请号： | 201510487665.4 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105185700B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 温振平;肖天金;张红伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超薄栅 超薄氧化层 制备 氮气 表面正电荷 二氧化硅 高温烘烤 混合气体 衬底硅 氧气 生长 | ||
1.一种超薄栅氧的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，提供硅片；
步骤S02，生长超薄氧化层；
步骤S03，在含有氮气和氧气的环境下烘烤以消除所述硅片表面的正电荷，其中，氧气体积浓度为5-10％，可以阻止二氧化硅与衬底硅反应，避免损失超薄氧化层；
步骤S04，氮化所述超薄氧化层以掺杂氮；
步骤S05，对所述硅片进行退火处理，得到超薄栅氧。
2.根据权利要求1所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：步骤S03的烘烤温度为1000-1200℃。
3.根据权利要求1所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：步骤S02包括采用高温ISSG工艺生长超薄氧化层。
4.根据权利要求3所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：步骤S02为氧化二氮ISSG工艺。
5.根据权利要求4所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：步骤S02的工艺温度为800-1100℃。
6.根据权利要求1所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：步骤S04包括采用DPN工艺氮化所述超薄氧化层。
7.根据权利要求1所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：步骤S05包括对所述硅片进行PNA退火处理。
8.根据权利要求7所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：步骤S05中的退火温度为1000-1100℃。
9.根据权利要求1至8任一项所述的超薄栅氧的制备方法，其特征在于：所述超薄氧化层为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
