[发明专利]化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置

权利要求书

1.一种应用于化学气相沉积反应器或外延层生长反应器内、用于可分离地支撑基片承载架的支撑装置，包括：可旋转的主轴部，所述主轴部设置有支撑面用以支撑所述基片承载架；以及自所述支撑面向上延伸一高度的插接部，所述插接部呈一椭圆柱体或一长方体或一正方体；

所述基片承载架设置有至少一个向内凹陷的凹进部，所述插接部可分离地插接于所述凹进部内，所述插接部的外周围与所述凹进部的内周壁有间隙，所述插接部至少部分地与所述凹进部的至少部分相互卡合或相互抵靠，在所述主轴部旋转时，藉由所述插接部推动所述基片承载架同步旋转,

所述凹进部在所述基片承载架内设置有一顶表面,对应的支撑装置的插接部上也设置有一顶表面,所述凹进部的顶表面与所述插接部的顶表面之间存在间隙。

2.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述主轴部的上端设置有自所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部的上表面即为主轴部的所述支撑面。

3.如权利要求2所述的支撑装置，其特征在于，所述支撑部呈圆柱形、立方体或其他不规则形状。

4.如权利要求2所述的支撑装置，其特征在于，所述支撑部的上表面为平坦的表面或粗糙表面或为具有增加摩擦力的结构的表面。

5.如权利要求1所述的支撑装置，其特征在于，所述插接部一体形成于所述主轴部。

6.一种与如权利要求1至5任一项所述的支撑装置配合使用的基片承载架，所述基片承载架包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于放置若干待处理的基片，所述第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部，所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内；所述凹进部在水平面方向的横截面形状为椭圆形或长方形或正方形或三角形；

其中，当所述插接部可分离地插接于所述凹进部内时，在此位置下，所述支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面相接触,并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架；所述插接部的外周围与所述凹进部的内周壁有间隙，所述插接部的部分外周围与所述凹进部的部分内周壁或相互卡合或相互抵靠，在所述主轴部旋转时，藉由所述插接部推动所述基片承载架一起旋转。

7.如权利要求6所述的基片承载架，其特征在于，所述凹进部在所述基片承载架内设置有一顶表面；对应的支撑装置的插接部上也设置有一顶表面；

在所述插接部插接于所述凹进部的插接状态，所述基片承载架的第二表面的至少部分与所述主轴部的支撑面的至少部分相接触，并且，所述凹进部的顶表面与所述插接部的顶表面之间存在间隙。

8.一种设置有如权利要求1至5任一项所述的支撑装置与如权利要求6至7任一项所述的基片承载架的化学气相沉积反应器或外延层生长反应器或基片承载组件。

9.一种应用于化学气相沉积反应器或外延层生长反应器内、用于可分离地支撑基片承载架的支撑装置，包括：可旋转的主轴部，所述主轴部设置有支撑面用以支撑所述基片承载架；以及自所述支撑面向上延伸的插接部，所述插接部上设置有至少一个卡接键或定位销,其中，所述基片承载架包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于放置若干待处理的基片，所述第二表面用于接收来自下方加热装置的热辐射并设置有至少一个向内凹陷的凹进部，所述凹进部的侧壁上设置有与所述卡接键或定位销相配合的卡接槽；

所述插接部可分离地插接于所述凹进部内，在此位置下，所述支撑面至少部分地与所述基片承载架的第二表面相接触,并且藉由该接触的支撑面来支撑所述基片承载架，所述插接部的外周围与所述凹进部的内周壁有间隙，所述插接部至少部分地与所述凹进部的至少部分相互卡合或相互抵靠，在所述主轴部旋转时，藉由所述插接部推动所述基片承载架同步旋转,

所述凹进部在所述基片承载架内设置有一顶表面,对应的支撑装置的插接部上也设置有一顶表面,所述凹进部的顶表面与所述插接部的顶表面之间存在间隙。