[发明专利]一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201510488363.9 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105047778B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;刘传桂;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/48 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
1.一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，包括以下工艺步骤：
（1）提供一蓝宝石衬底；
（2）在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层；
（3）在所述发光外延层上制作电极，形成倒装发光二极管；
（4）将所述倒装发光二极管倒置，黏附于保护膜上，使得蓝宝石衬底朝上；
（5）去除所述蓝宝石衬底，裸露出所述发光外延层；
（6）采用溅镀工艺在所述发光外延层上沉积一Al2O3薄层，厚度为5~30μm；
（7）去除所述保护膜，并将所述倒装发光二极管再次倒置，制得薄膜氮化镓基发光二极管。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：所述Al2O3薄层的厚度为10~20μm。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述发光外延层之上形成微结构。
4.根据权利要求3所述的一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：形成所述微结构的工艺包括通过在图形化蓝宝石衬底上外延生长而成，或是通过去除平片蓝宝石衬底后在发光外延层上粗化形成。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：所述蓝宝石衬底的厚度为450~650μm。
6.根据权利要求1所述的一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：所述发光外延层包括N-GaN层、发光层和P-GaN层。
7.根据权利要求1所述的一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：所述保护膜为蓝膜或白膜。
8.根据权利要求1所述的一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）中去除蓝宝石衬底的工艺包括先减薄再激光剥离，或者是直接激光剥离。
9.一种薄膜氮化镓基发光二极管，其特征在于：通过上述权利要求1至8中任一项所述的制备方法制得。
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