[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510488835.0 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105140294A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 陈归;赵莽 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述低温多晶硅薄膜晶体管包含：
一基板；
一遮光层，为金属材料且设置在所述基板上；
一缓冲层，设置在所述遮光层及所述基板上；
一多晶硅层，设置在所述缓冲层上；
一栅极绝缘层，设置在所述多晶硅层及所述缓冲层上；
一栅极，形成在所述栅极绝缘层上；及
至少一围栅信道，所述围栅通道穿过所述栅极绝缘层及缓冲层，并连接在所述遮光层及所述栅极之间。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述围栅通道是由所述栅极的一端朝向所述遮光层垂直延伸而成。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：在所述基板的一X轴方向的剖面上，所述围栅通道的一横截面宽度与所述栅极的一横截面宽度相同。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述低温多晶硅薄膜晶体管包含两个所述围栅通道，在所述基板的一Y轴方向的剖面上，所述两个围栅通道是分别由所述栅极的相对两端垂直朝向所述遮光层延伸而成。
5.如权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：在所述基板的Y轴方向的剖面上，其中一个所述围栅通道及所述多晶硅层之间的一水平距离，与另一个所述围栅通道及所述多晶硅层之间的一水平距离相同。
6.如权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：在所述基板的Y轴方向的剖面上，所述两个围栅通道、遮光层及栅极共同包围所述多晶硅层。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述围栅通道连接于所述遮光层的一端。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述围栅通道的材料为钼。
9.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：
提供一基板，并于所述基板上形成一遮光层；
在所述基板及所述遮光层上沉积一缓冲层；
在所述缓冲层上沉积一多晶硅层；
在所述多晶硅层及所述缓冲层上沉积一栅极绝缘层；
形成至少一围栅通道，穿过所述栅极绝缘层及缓冲层，并连接在所述遮光层上；及
在所述栅极绝缘层上沉积一栅极，并连接所述围栅通道。
10.如权利要求9所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：在沉积所述栅极绝缘层之后，形成二个所述围栅通道，穿过所述栅极绝缘层及缓冲层，所述两围栅通道分别连接至所述遮光层的相对二端。
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