[发明专利]抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法

权利要求书

1.一种抑制NMOS器件的反短沟道效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤01：在一半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构和有源区；

步骤02：在所述有源区中形成硼掺杂的P型阱区，并且在所述半导体衬底上形成栅氧层和栅极，然后在所述栅极侧壁形成氧化修复层；

步骤03：在所述栅极两侧的所述P型阱区中进行磷离子注入，以形成浅掺杂源漏区；

步骤04：在所述浅掺杂源漏区中进行氟离子注入，从而使注入的氟离子与栅极边缘区域的空位和间隙原子结合，阻止P型阱区中的硼元素向栅极边缘区域扩散；

步骤05：对经所述氟离子注入的所述浅掺杂源漏区进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤04中，所述氟离子注入的剂量为1E14/cm²～1E15/cm²，所述氟离子注入的能量为15Kev～25Kev。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤04中，所述氟离子注入的角度与竖直方向的夹角为0～16°。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤05中，所述退火处理的时间为0.5～1小时，所述退火处理的温度为750～850℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤03中，所述磷离子倾斜注入到所述浅掺杂源漏区中，并且，所述栅极两侧的所述磷离子注入的角度呈互补。

6.一种NMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤01：在一半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构和有源区；

步骤02：在所述有源区中形成P型阱区，并且在所述半导体衬底上形成栅氧层和栅极，然后在所述栅极侧壁形成氧化修复层；

步骤03：在所述栅极两侧的所述P型阱区中进行磷离子注入，以形成浅掺杂源漏区；

步骤04：在所述浅掺杂源漏区中进行氟离子注入，从而使注入的氟离子与栅极边缘区域的空位和间隙原子结合，阻止P型阱区中的硼元素向栅极边缘区域扩散；

步骤05：对经所述氟离子注入的所述浅掺杂源漏区进行退火处理；

步骤06：在所述氧化修复层外壁形成侧墙，然后在浅掺杂源漏区中进行源漏离子注入形成源漏极；

步骤07：在所述源漏极表面和所述栅极表面依次形成金属硅化物、金属前介质、通孔、金属插塞和互连金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤04中，所述氟离子注入的剂量为1E14/cm²～1E15/cm²，所述氟离子注入的能量为15Kev～25Kev。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤04中，所述氟离子注入的角度与竖直方向的夹角为0～16°。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤05中，所述退火处理的时间为0.5～1小时，所述退火处理的温度为750～850℃。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤03中，所述磷离子倾斜注入到所述浅掺杂源漏区中，并且，所述栅极两侧的所述磷离子注入的角度呈互补。