[发明专利]一种直接制备四方相PbSe2化合物的方法有效
申请号: | 201510489779.2 | 申请日: | 2015-08-11 |
公开(公告)号: | CN105016316B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 王欣;朱红玉;宿太超;朱品文;李会;赵永胜;袁萍;朱晶 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直接 制备 四方 pbse2 化合物 方法 | ||
技术领域
本发明属于功能材料制备的技术领域。具体涉及硒化铅的四方相,以Pb、Se为原料,利用高能球磨和高压合成的方法制备PbSe2四方相的方法。
背景技术
随着社会的不断发展和进步,人们对材料的认知也更加深入,硒化铅早已成为广泛应用中占有重要地位的一类材料。立方结构硒化铅(PbSe)作为红外探测器材料,光敏传感器材料,已得到重要应用。近年来随着化石能源日益枯竭和环境日益恶化,PbSe作为太阳能电池以及热电材料也受到广泛关注。晶体结构变化对于材料的电子结构影响较大,进而影响其热学、电学及光学等物理参数。目前针对硒化铅的研究主要集中于立方结构PbSe的合成、物性及器件功能化研究,晶体结构更为复杂的四方相结构PbSe2的研究却较少,它极有可能产生不同于立方结构的新的光、电、热效应。而PbSe2属于亚稳材料,合成较为困难,现有的方法工艺极为复杂,制备成本高昂。开发一种工艺简单的高纯度四方相PbSe2的制备方法,有助于增加硒化铅作为功能材料的潜在应用,拓展其应用领域。
目前合成四方相结构PbSe2的方法由美国学者Bremholm等人公开在Solid State Sciences 13(2011)38-41,该方法利用真空熔炼结合高压烧结方法制备的PbSe2材料,但其工艺及其复杂。首先需要12小时的真空高温热处理制备出立方结构PbSe,然后按PbSe:Se=1:2混合均匀后进行高压合成,高压合成后样品含有大量Se杂质,需要Na2S清洗才能除去Se杂质获得较高纯净的PbSe2样品,为了进一步表征其物性以及应用,还需进一步做高压成型及烧结处理使其致密化。所以现有的四方相PbSe2制备方法存在合成周期长、工艺复杂、成本高、重复性差等缺点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服背景技术的缺点,提供工艺更为简单的四方相结构PbSe2块体材料的制备方法,以缩减制备周期、降低成本和提高重复性。
具体而言,本发明提供了一种直接制备四方相PbSe2化合物的方法,包括如下步骤:
步骤1)将原料置于球磨罐中,所述原料包括按一定摩尔比混合的Pb粉和Se粉;
步骤2)对球磨罐进行去氧保护处理,并将经处理的球磨罐固定在球磨机上,干法球磨预定时间;干法球磨的目的主要是形成立方相结构PbSe化合物。
步骤3)向球磨罐中加入一定Se粉并注入无水乙醇,湿磨预定时间;湿磨主要是为了将干磨后立方结构PbSe粉末与Se粉混合均匀,另外加入无水乙醇湿磨也可以防止原料粘附与磨球和球磨罐上。
步骤4)对经湿磨后的产物进行干燥处理,得到干燥粉末前驱物;
步骤5)对所得到的干燥粉末压制成块体;
步骤6)将压制成的块体进行高压合成,得到四方相PbSe2化合物;所述高压合成,是在高温高压装置上进行,块体样品包裹氮化硼绝缘管,装入叶腊石合成块中,采用的合成压力为3~5GPa,合成温度为600~800℃,升温速率为200~400℃/min,保温保压时间为40min。
在所述步骤2)和3)中,球料质量分别比为20:1和15:1,转速分别为400转/分和300转/分,球磨预定时间分别为2小时和0.5小时。干磨时间不小于1小时,转速不小于350r/min,即可获得使Pb和Se合金化形成立方结构PbSe前驱物。湿磨转速不小于200r/min,湿磨时间不小于30分钟即可混合均匀。球磨转速不小于350转/分钟(干磨)和200r/min(湿磨),时间不小于1小时(干磨)和0.5小时(湿磨),不会影响后继结果。湿法球磨球料比不包括乙醇的质量,湿磨过程中对球料比的要求并不严格,只要球料比不低于10即可实现样品混合均匀。
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