[发明专利]化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器及其用途

权利要求书

1.一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器，其中碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下，所述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器具有收容化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容部，所述有机系处理液为含有选自由酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂及醚系溶剂所组成的组群中的至少一种有机溶剂的有机系显影液，所述收容部的与所述有机系处理液接触的内壁是由全氟树脂所形成。

2.根据权利要求1所述的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器，其中所述有机系显影液为乙酸丁酯。

3.一种化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器，其中碳数22以下的烷基烯烃含量为1ppm以下，且Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn的金属元素浓度均为5ppm以下，所述化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器具有收容化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容部，所述有机系处理液为有机系冲洗液，所述收容部的与所述有机系处理液接触的内壁是由全氟树脂所形成。

4.根据权利要求3所述的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器，其中所述有机系冲洗液为选自由酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂及酰胺系溶剂所组成的组群中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器，其中所述有机系冲洗液为4-甲基-2-戊醇或乙酸丁酯。

6.一种图案形成方法，包括：

(I)利用化学增幅型抗蚀剂组合物来形成膜的工序；

(II)对所述膜进行曝光的工序；以及

(III)使用有机系显影液对经曝光的膜进行显影的工序；并且

所述有机系显影液为由根据权利要求1或2所述的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器所排出。

7.根据权利要求6所述的图案形成方法，其中在使用所述有机系显影液进行显影的工序之后，还包括使用有机系冲洗液进行清洗的工序，并且

所述有机系冲洗液为由根据权利要求3至5中任一项所述的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器所排出。

8.根据权利要求7所述的图案形成方法，其中所述有机系显影液为由根据权利要求2所述的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器所排出，所述有机系冲洗液为由根据权利要求5所述的化学增幅型抗蚀剂膜的图案化用有机系处理液的收容容器所排出。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的图案形成方法，其中使用所述有机系显影液进行显影的工序为使用搭载有处理液用过滤器的显影装置进行显影的工序，且使所述有机系显影液通过所述处理液用过滤器而用于显影。

10.一种电子元件的制造方法，包括根据权利要求6至9中任一项所述的图案形成方法。