[发明专利]数字辐射传感器封装件

权利要求书

1.一种辐射传感装置，包括垂直层叠配置的：

辐射传感器芯片，其包括辐射传感元件和与所述辐射传感元件耦合并暴露于 所述辐射传感器芯片的下表面的导电触点；

集成电路芯片，位于所述辐射传感器芯片之下，并与之耦合，所述集成电路 芯片包括集成电路以及耦合到所述集成电路并暴露于所述集成电路的上表面的 导电体，所述集成电路的上表面面向所述辐射传感器芯片的下表面，

其中，所述暴露于所述辐射传感器芯片的下表面的导电触点与所述暴露于所 述集成电路的上表面的导电体物理地电耦合；以及

光学元件，其位于所述辐射传感器芯片之上，并与之耦合，其中，所述光学 元件被配置为以所述辐射传感元件能感应的波长传递入射辐射。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述辐射传感器芯片、所述集成电路 芯片和所述光学元件彼此垂直对齐。

3.如权利要求1所述的装置，其中，所述暴露于所述辐射传感器芯片的下 表面的导电触点靠近所述辐射传感器芯片的外周界，

其中，所述暴露于所述集成电路的上表面的导电体靠近所述集成电路芯片的 外周界，并且

其中，在操作过程中，待感应的辐射穿过所述辐射传感器芯片的外周界内的 空间，到达所述辐射传感元件。

4.如权利要求1所述的装置，其中：

所述辐射传感器芯片具有基底，该基底中限定有置于中央的开口，所述基底 面向所述光学元件；并且

膜延伸横跨所述基底的置于中央的开口的下端。

5.如权利要求4所述的装置，其中，所述辐射传感元件至少部分地置于所 述膜上。

6.如权利要求5所述的装置，其中，所述辐射传感元件位于所述膜的背对 所述光学元件的一侧上，并且所述膜被配置为以所述辐射传感元件能感应的波 长传递入射辐射。

7.如权利要求6所述的装置，其中，所述集成电路具有基底，该基底含有 置于中央的腔，该腔朝向所述辐射传感器芯片打开，

其中，所述置于中央的腔被配置为当所述集成电路芯片与所述辐射传感器芯 片耦合时在所述辐射传感元件周围提供空间，以有助于所述膜上的辐射传感元 件的至少一部分的热隔离。

8.如权利要求1所述的装置，其中，所述耦合到所述集成电路并暴露于所 述集成电路的上表面的导电体包括硅穿孔。

9.如权利要求1所述的装置，其中，所述辐射传感元件选自热电堆和光电 二极管组成的组。

10.如权利要求1所述的装置，其中，所述集成电路是专用集成电路。

11.如权利要求1所述的装置，其中，所述光学元件是透镜。

12.如权利要求1所述的装置，其中，所述辐射传感器芯片包括多个辐射传 感元件。

13.如权利要求12所述的装置，其中，所述光学元件包括限制辐射穿过部 分所述光学元件的有孔的盖子。

14.如权利要求13所述的装置，其中，所述孔和所述多个辐射传感元件被 设置成：在操作过程中，所述多个辐射传感元件中的每一个与其它任一个辐射 传感元件都通过所述孔从被监测空间的不同部分接收辐射。

15.如权利要求1所述的装置，其中，所述光学元件被配置成光学滤波辐射， 以便没有被所述辐射传感元件所感应的一定波长的辐射不会到达所述辐射传感 元件。

16.如权利要求1所述的装置，进一步包括：

多个导电垫，暴露于所述集成电路芯片的下表面，

其中，所述导电垫被配置成与电路板上的相应导电元件物理地电结合。