[发明专利]LED封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201510490711.6 申请日: 2015-08-11
公开(公告)号: CN105047789A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 李振宁;邢其彬;侯利;童文鹏 申请(专利权)人: 深圳市聚飞光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 张约宗;张秋红
地址: 518111 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: led 封装 结构 及其 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及LED封装技术,更具体地说,涉及一种LED封装结构及其封装方法。

背景技术

现有的LED封装结构如图1至图4所示。从图1中可以看出,在基板3的上表面设有固焊功能区4,下表面设有引脚5;在基板3的预定位置钻孔形成连通上下表面的通孔1,然后在通孔的内壁形成镀铜层2,该镀铜层2用于实现固焊功能区4与引脚5之间的电连接。需要说明的是,图1是局部示意图,实际上,在同一基板3上会设置一个或多个LED芯片,相应地会有多对通孔1、多对固焊功能区4、以及多对引脚5。

然后,如图2所示,在通孔1里装填满填充物6。填充物6的作用是在后续敷胶体7的步骤中避免胶体流入通孔内,或在应用端贴片避免锡膏沿着通孔溢出到上表面而导致短路。

然后,如图3所示,在每一对固焊功能区4焊接装设一个LED芯片9,具体是将LED芯片通过导线8与固焊功能区4电连接,再用一层胶体7对LED芯片9进行包封以保护芯片和导线不被破坏。

图3中,每个带有填充物6的通孔1的中心线即为一个切割位置。如图4所示为沿这些切割位置而切割出的单个LED灯珠。

从图4中可以看出,LED灯珠两侧的下部分别是被切割出来的一半填充物6。这种封装结构中,LED灯珠的引脚5呈薄型平板结构,且处在灯珠底部;相比于传统的“L”型、翼型等电子元器件引脚,此种引脚5的侧面基本无吃锡面积,仅靠底面吃锡;应用于贴片工艺时,此种引脚5的吃锡能力较差,虚焊率高,进而会影响LED灯珠的使用。

发明内容

针对现有技术的上述缺陷,本发明要解决现有LED封装中引脚的侧面基本无吃锡面积,仅靠底面吃锡的问题。

本发明提供一种LED封装结构,包括基板,所述基板上表面的固焊功能区通过设于通孔内壁的镀铜层而与所述基板下表面的引脚电连接;所述基板上表面设有一个或多个LED芯片,每个LED芯片通过导线与所述固焊功能区电连接;所述通孔内装填有填充物,所述基板上表面还设有用于固定每个LED芯片的胶体;其中,至少一个所述通孔内自所述引脚下表面起有一段是未装填所述填充物的空孔结构。

本发明的所述LED封装结构中,所述空孔结构的高度为所述通孔高度的10%~60%。

本发明的所述LED封装结构中,所述通孔内装填的填充物的上表面与所述固焊功能区的上表面平齐、或略有凸出、或略有内凹。。

本发明还提供一种LED封装方法,其重点在于,在向至少一个通孔内装填填充物的步骤中,不装填满所述通孔,而是在所述通孔内自所述引脚下表面起保留一段未装填所述填充物的空孔结构。

本发明中,所述填充物可是铜材、树脂、绿油、或者其他填充材料。

本发明中,可使用电镀、印刷、镭射、或其他装填方式来装填填充物。

由于采取了上述技术方案,在切割形成单个LED灯珠之后,填充物和镀铜层位于LED灯珠的两侧,且填充物位于镀铜层的上部,在镀铜层的下部没有填充物,所以是裸露状态;裸露的这部分镀铜层与下表面的引脚连通,可形成“L”型的LED引脚,在后续使用中焊接时可以靠底面和侧面共同吃锡,与现有技术中仅靠底面吃锡的结构相比,增加了侧面的吃锡面积,从而可降低虚焊率。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:

图1是现有LED封装结构中基板的初始状态结构示意图;

图2是在图1的通孔中装满填充物之后的结构示意图;

图3是在图2基础上装设了LED芯片及胶层之后的结构示意图;

图4是在图3基础上切割出单个LED灯珠的结构示意图;

图5是本发明一个实施例中填充物不完全装满的结构示意图;

图6是在图5基础上切割出单个LED灯珠的结构示意图。

具体实施方式

本发明的一个优选实施例如图5和图6所示。从图5中可以看出,在基板3的上表面设有固焊功能区4,下表面设有引脚5;在基板3的预定位置钻孔形成连通上下表面的通孔1,然后在通孔的内壁形成镀铜层2,该镀铜层2用于实现固焊功能区4与引脚5之间的电连接。

从图5中可以看出,在向通孔1内装填填充物6的步骤中,并不装填满整个通孔1,而是在通孔1内自引脚5下表面起保留一段未装填填充物6的空孔结构。该空孔结构的高度h应大于0并小于从固焊功能区4上表面至引脚5下表面的高度H(即通孔高度),本实施例中,h约等于H的1/4;具体实施时,空孔结构的高度h可为通孔高度H的10%~60%。

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