[发明专利]一种水平阵列高功率半导体激光器

权利要求书

1.一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：包括自下而上依次设置下通水块，一个或者多个半导体激光器单元，以及上通水块；

所述的上通水块和下通水块用于固定半导体激光器单元，以及作为半导体激光器单元的散热装置；

所述的一个或者多个半导体激光器单元在下通水块的上表面沿半导体激光器单元的慢轴方向依次平行排列，多个半导体激光器单元所发出激光光束的光轴相互平行；

所述的半导体激光器单元包括液体制冷片A，激光芯片，绝缘层以及负极连接片，所述的激光芯片的正极键合在液体制冷片A的一端，所述的负极连接片为片状金属且与激光芯片的负极相连接，负极连接片与液体制冷片A之间设置绝缘层，绝缘层用于使液体制冷片A与负极连接片绝缘；

所述的上通水块与每个半导体激光器单元之间均设置有液体制冷片B，液体制冷片B与多个半导体激光器单元一一对应，液体制冷片B下表面一部分紧密贴合于半导体激光器单元的负极连接片上表面，液体制冷片B下表面另一部分与负极连接片之间存在间隙;

还包括级联电极片，正电极片和负电极片；所述的级联电极片为Z型的片状结构，包括相连接的两片电极片，级联电极片的一片接于半导体激光器单元的液体制冷片A底部，另一片接于相邻的半导体激光器单元的负极连接片；

所述的正电极片的一端设置于未接有级联电极片的液体制冷片A的底部，另一端外接于电源的正极；所述的负电极片的一端设置于未接有级联电极片的半导体激光器单元负极连接片上，另一端外接于电源的负极。

2.根据权利要求1所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的半导体激光器单元的负极连接片为台阶状，负极连接片贴合于绝缘层的部分高于负极片贴合激光芯片的部分，液体制冷片B紧密贴合于半导体激光器单元的负极连接片的台阶高处的表面，并且液体制冷片B与负极连接片的台阶低处之间有大于0且小于1mm的间隙。

3.根据权利要求1所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的半导体激光器单元的负极连接片为平片状，液体制冷片B紧密贴合与负极连接片的上表面，且液体制冷片B下表面设有台阶，用于使液体制冷片B与负极连接片接触激光芯片的部分有大于0且小于1mm的间隙。

4.根据权利要求1所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的下通水块的正面设置有反馈光防护板，或者在下通水块的正面镀高反膜，用于将反馈回半导体激光器的反馈激光再次反射。

5.根据权利要求4所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的反馈光防护板为铜镀金。

6.根据权利要求1所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的液体制冷片A的结构为微通道液体制冷片或者宏通道液体制冷片，所述的微通道液体制冷片包括入液孔，出液孔以及分布于微通道液体制冷片内部微小的液体通道；所述的宏通道液体制冷片为在液体制冷片主体上开有上下贯通的通液孔。

7.根据权利要求1所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的液体制冷片B与液体制冷片A的结构相同。

8.根据权利要求1所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的上通水块为一个整体，或者为与半导体激光器单元匹配的通水块组，通水块组中包括与半导体激光器单元个数相等的通水块单元，每个通水块单元与半导体激光器单元独立安装。

9.根据权利要求1所述的一种水平阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的半导体激光器单元的激光芯片可以为单发光点芯片，也可以为多发光点芯片。