[发明专利]一种精确电压峰值锁定电路有效

专利信息
申请号: 201510493218.X 申请日: 2015-08-12
公开(公告)号: CN105071647A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 方健;任少东;刘力荣;姚易寒;钟皓月 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 精确 电压 峰值 锁定 电路
【权利要求书】:

1.一种精确电压峰值锁定电路,包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第九PMOS管P9、第十PMOS管P10、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和齐纳二极管Z1;其中,第一PMOS管P1的源极接电源,其栅极与漏极互连,其栅极接第二PMOS管P2的栅极,其漏极接第三PMOS管P3的源极;第二PMOS管P2的源极接电源,其漏极接第四PMOS管P4的源极;第三PMOS管P3的栅极与漏极互连,其栅极接第四PMOS管P4的栅极,其漏极接第三NMOS管N3的漏极和第一NMOS管N1的漏极,其源极通过第二电阻R2后接地;第四PMOS管P4的漏极接第四NMOS管N4的漏极;第四NMOS管N4的栅极和漏极互连,其栅极接第二NMOS管N2的栅极,其源极接地;第二NMOS管N2的漏极接第一NMOS管N1的栅极,其漏极通过第一电阻R1后接电源,其源极接地;第一NMOS管N1的源极接地;第二NMOS管N2漏极与第一电阻R1的连接点接第五PMOS管P5的栅极;第五PMOS管的源极接电源,其漏极通过第三电阻R3后接第五NMOS管N5的栅极;第三电阻R3与第五NMOS管N5栅极的连接点通过第四电阻R4后接第九NMOS管N9的漏极;第四电阻R4与第九NMOS管N9的连接点通过第五电阻R5后接地;第九NMOS管N9的源极接地;第五NMOS管N5的漏极接第六PMOS管P6的漏极,其源极接第七NMOS管N7的漏极和第六NMOS管N6的源极;第六PMOS管P6的源极接电源,其栅极和漏极互连,其栅极接第七PMOS管P7的栅极;第七PMOS管P7的源极接电源,其漏极接第六NMOS管N6的漏极;第七NMOS管N7的栅极接第四NMOS管N4的栅极,其源极接地;第六NMOS管N6的栅极接第八PMOS管P8的漏极和齐纳二极管Z1的正极;第八PMOS管P8的栅极接第二PMOS管P2的栅极,其源极接电源;齐纳二极管Z1的负极接地;第七PMOS管P7漏极与第六NMOS管N6漏极的连接点接第九PMOS管P9的栅极和第八NMOS管N8的栅极;第九PMOS管P9的源极接电源,其漏极接第八NMOS管N8的漏极;第八NMOS管N8的源极接地;第十PMOS管P10的源极接电源,其栅极接第七NMOS管N7的栅极;第九PMOS管P9的漏极、第八NMOS管N8的漏极、第九NMOS管N9的栅极和第十PMOS管P10的漏极的连接点为欠压锁定输出端。

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