[发明专利]一种精确电压峰值锁定电路有效
申请号: | 201510493218.X | 申请日: | 2015-08-12 |
公开(公告)号: | CN105071647A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 方健;任少东;刘力荣;姚易寒;钟皓月 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 精确 电压 峰值 锁定 电路 | ||
1.一种精确电压峰值锁定电路,包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第九PMOS管P9、第十PMOS管P10、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和齐纳二极管Z1;其中,第一PMOS管P1的源极接电源,其栅极与漏极互连,其栅极接第二PMOS管P2的栅极,其漏极接第三PMOS管P3的源极;第二PMOS管P2的源极接电源,其漏极接第四PMOS管P4的源极;第三PMOS管P3的栅极与漏极互连,其栅极接第四PMOS管P4的栅极,其漏极接第三NMOS管N3的漏极和第一NMOS管N1的漏极,其源极通过第二电阻R2后接地;第四PMOS管P4的漏极接第四NMOS管N4的漏极;第四NMOS管N4的栅极和漏极互连,其栅极接第二NMOS管N2的栅极,其源极接地;第二NMOS管N2的漏极接第一NMOS管N1的栅极,其漏极通过第一电阻R1后接电源,其源极接地;第一NMOS管N1的源极接地;第二NMOS管N2漏极与第一电阻R1的连接点接第五PMOS管P5的栅极;第五PMOS管的源极接电源,其漏极通过第三电阻R3后接第五NMOS管N5的栅极;第三电阻R3与第五NMOS管N5栅极的连接点通过第四电阻R4后接第九NMOS管N9的漏极;第四电阻R4与第九NMOS管N9的连接点通过第五电阻R5后接地;第九NMOS管N9的源极接地;第五NMOS管N5的漏极接第六PMOS管P6的漏极,其源极接第七NMOS管N7的漏极和第六NMOS管N6的源极;第六PMOS管P6的源极接电源,其栅极和漏极互连,其栅极接第七PMOS管P7的栅极;第七PMOS管P7的源极接电源,其漏极接第六NMOS管N6的漏极;第七NMOS管N7的栅极接第四NMOS管N4的栅极,其源极接地;第六NMOS管N6的栅极接第八PMOS管P8的漏极和齐纳二极管Z1的正极;第八PMOS管P8的栅极接第二PMOS管P2的栅极,其源极接电源;齐纳二极管Z1的负极接地;第七PMOS管P7漏极与第六NMOS管N6漏极的连接点接第九PMOS管P9的栅极和第八NMOS管N8的栅极;第九PMOS管P9的源极接电源,其漏极接第八NMOS管N8的漏极;第八NMOS管N8的源极接地;第十PMOS管P10的源极接电源,其栅极接第七NMOS管N7的栅极;第九PMOS管P9的漏极、第八NMOS管N8的漏极、第九NMOS管N9的栅极和第十PMOS管P10的漏极的连接点为欠压锁定输出端。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置