[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，具有：

半导体层，其为第2导电类型，具有第1区域和包围所述第1区域的第2区域；

形成于所述第1区域的所述半导体层中的多个第1凸柱和多个第2凸柱，所述第1凸柱为第1导电类型，所述第2凸柱为导电类型与所述第1导电类型相反的第2导电类型；

半导体元件，其形成于所述第1区域的所述半导体层的上方；以及

形成于所述第2区域的所述半导体层中的第3凸柱及第4凸柱，所述第3凸柱为所述第1导电类型，所述第4凸柱为所述第2导电类型，

所述第1凸柱与所述第2凸柱交替地配置，

所述第3凸柱配置为螺旋状地包围所述第1区域，

所述第4凸柱配置于螺旋状的所述第3凸柱之间，且配置为螺旋状地包围所述第1区域，

所述第1凸柱配置于形成于所述半导体层中的第1沟槽中，

所述第3凸柱配置于形成于所述半导体层中的第2沟槽中，

所述螺旋状的第3凸柱的第1周具有角部，构成角部的第1侧面及第2侧面与面(100)或者面(110)对应，

所述第3凸柱及所述第4凸柱在俯视下将矩形形状的所述第1区域以螺旋状的方式至少包围2周以上而成矩形形状，

第1周沿所述矩形形状的所述第1区域的各边配置，

第2周沿所述第1周的各边配置，

所述第3凸柱的起点配置于所述矩形形状的第1边的中途的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

具有位于从所述矩形形状的所述第1区域的角部至所述第3凸柱的起点之间的第5凸柱。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第3凸柱及所述第4凸柱在俯视下将矩形形状的所述第1区域以螺旋状的方式至少包围3周以上而成矩形形状，

第3周沿所述第2周的各边配置，

所述第1周与所述第2周之间的间隔和所述第2周与所述第3周之间的间隔不同。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第1周与所述第2周之间的间隔比所述第2周与所述第3周之间的间隔小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第1周的第1边与所述第2周的第1边之间的间隔和所述第1周的第2边与所述第2周的第2边之间的间隔不同。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述第1周的第1边与所述第2周的第1边之间的间隔比所述第1周的第2边与所述第2周的第2边之间的间隔小。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

关于所述第2沟槽，所述第2沟槽的深度/宽度即深宽比为12以上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

关于所述第1沟槽，所述第1沟槽的深度/宽度即深宽比为12以上，

关于所述第2沟槽，所述第2沟槽的深度/宽度即深宽比为12以上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

具有形成于所述第2区域的所述半导体层上的电极。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述电极沿所述螺旋状的第3凸柱配置成螺旋状。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述电极沿所述螺旋状的第3凸柱配置成环状。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体元件具有：

栅电极，其隔着栅极绝缘膜而形成于所述第2凸柱上；

所述第1导电类型的半导体区域，其形成于所述第2凸柱的相邻的所述第1凸柱的上部；

源极区域，其形成于所述半导体区域的上部。