[发明专利]一种引线键合去除的方法有效

专利信息
申请号: 201510493865.0 申请日: 2015-08-12
公开(公告)号: CN105070649B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 刘迪 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;B08B3/08
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 引线 去除 方法
【权利要求书】:

1.一种引线键合去除的方法,其特征在于,所述引线键合去除的方法,包括:

执行步骤S1:整理半导体衬底上的引线键合,避免引线键合之间叠置;

执行步骤S2:在所述半导体衬底之表面涂覆丙酮溶液;

执行步骤S3:在涂覆丙酮溶液之半导体衬底上黏附复制胶带;

执行步骤S4:静置后并将所述复制胶带剥离,所述引线键合伴随所述复制胶带脱离所述半导体衬底。

2.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述引线键合去除的方法,进一步包括:

执行步骤S5:循环执行步骤S2~步骤S4,去除引线键合。

3.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述复制胶带为醋酸纤维素复制胶带。

4.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,涂覆在所述半导体衬底之上的丙酮溶液级别为分析纯。

5.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,采用棉棒或者无尘布将所述半导体衬底上的引线键合进行整理,避免引线键合之间叠置。

6.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,在步骤S4中,所述静置的时间大于或者等于1min。

7.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述半导体衬底内的功能电路为处理器、控制电路、片上系统(SoC)、存储器(DRAM)的至少其中之一。

8.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述半导体衬底为硅基衬底或者砷化镓。

9.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述引线键合为铝、铜、金的其中之一材料制备。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510493865.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top