[发明专利]一种引线键合去除的方法有效
申请号: | 201510493865.0 | 申请日: | 2015-08-12 |
公开(公告)号: | CN105070649B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 刘迪 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B3/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 去除 方法 | ||
1.一种引线键合去除的方法,其特征在于,所述引线键合去除的方法,包括:
执行步骤S1:整理半导体衬底上的引线键合,避免引线键合之间叠置;
执行步骤S2:在所述半导体衬底之表面涂覆丙酮溶液;
执行步骤S3:在涂覆丙酮溶液之半导体衬底上黏附复制胶带;
执行步骤S4:静置后并将所述复制胶带剥离,所述引线键合伴随所述复制胶带脱离所述半导体衬底。
2.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述引线键合去除的方法,进一步包括:
执行步骤S5:循环执行步骤S2~步骤S4,去除引线键合。
3.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述复制胶带为醋酸纤维素复制胶带。
4.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,涂覆在所述半导体衬底之上的丙酮溶液级别为分析纯。
5.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,采用棉棒或者无尘布将所述半导体衬底上的引线键合进行整理,避免引线键合之间叠置。
6.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,在步骤S4中,所述静置的时间大于或者等于1min。
7.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述半导体衬底内的功能电路为处理器、控制电路、片上系统(SoC)、存储器(DRAM)的至少其中之一。
8.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述半导体衬底为硅基衬底或者砷化镓。
9.如权利要求1所述的引线键合去除的方法,其特征在于,所述引线键合为铝、铜、金的其中之一材料制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造