[发明专利]晶圆级芯片封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述晶圆级芯片封装方法包括步骤：

1)提供第一载体，所述第一载体表面具有第一粘合层，将半导体芯片正面朝下地粘附于所述第一粘合层表面；

2)采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装，形成封装层；

3)分离所述第一粘合层及各半导体芯片，以去除所述第一载体及第一粘合层；

4)提供第二载体，所述第二载体表面具有第二粘合层，将所述封装层粘合于所述第二粘合层，且使各半导体芯片正面朝上；

5)于各半导体芯片正面形成介质层，并基于所述介质层对各半导体芯片制作重新布线层；

6)于所述重新布线层上进行植球回流工艺，形成微凸点；

7)分离所述第二粘合层及封装层，以去除所述第二载体及第二粘合层。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述半导体芯片为扇出型半导体芯片。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述第一载体包括玻璃、半导体、金属及刚性的聚合物中的一种。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述第一粘合层为双面均具有粘性的胶带、或者通过旋涂工艺制作的粘合胶，所述第一粘合层与各半导体芯片的分离方法包括化学溶剂法、UV光曝光法、或加热保温法。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述第二载体包括玻璃、半导体、金属及刚性的聚合物中的一种。

6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：所述第二粘合层为双面均具有粘性的胶带、或者通过旋涂工艺制作的粘合胶，所述第二粘合层与所述封装层的分离方法包括化学溶剂法、UV光曝光法、或加热保温法。

7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：步骤2)的注塑工艺采用的封装材料为聚合物复合材料，包括带填料的环氧树脂及带填料的环氧丙烯酸酯树脂中的一种。

8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：步骤5)包括以下步骤：

5-1)采用淀积工艺于各半导体芯片正面形成介质层；

5-2)采用光刻工艺及刻蚀工艺于所述介质层中形成与半导体芯片电性引出所对应的通孔；

5-3)于各通孔中填充金属导体，形成连接通孔；

5-4)于所述介质层表面形成于所述连接通孔对应连接的重新布线层。

9.根据权利要求8所述的晶圆级芯片封装方法，其特征在于：步骤5-4)包括以下步骤：

5-4a)于所述介质层表面制作光刻胶图形；

5-4b)基于所述光刻胶图形于所述介质层表面沉积或溅射种子层；

5-4c)基于所述种子层电镀金属导体形成金属连线；

5-4d)去除所述光刻胶图形，以形成重新布线层。