[发明专利]差动泵送反应气体喷射器

权利要求书

1.一种用于从半导体衬底去除材料的装置，所述装置包括：

反应室；

衬底支撑件，其用于支撑在所述反应室中的所述衬底；

离子源或等离子体源，其被配置成将离子朝所述衬底支撑件输送；

喷射头，其用于当所述衬底被定位在所述衬底支撑件上时提供反应物至所述衬底的表面，所述喷射头包括：朝向衬底的区，该朝向衬底的区包括(i)反应物输送管道的反应物出口区，和(ii)耦合到真空管道的抽吸区，其中所述离子源或等离子体源定位在所述喷射头的上方，使得来自所述离子源或等离子体源的离子向下撞击到所述喷射头的上表面上；以及

移动机构，其用于使所述喷射头或所述衬底支撑件彼此相对地移动。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述朝向衬底的区包括所述反应物输送管道的末端和所述真空管道的末端，并且其中所述末端是共面的。

3.如权利要求1所述的装置，其中，所述衬底支撑件、喷射头、和/或移动机构被配置成当所述衬底被定位在所述衬底支撑件上时保持所述喷射头和所述衬底的所述表面之间的间隔距离，其中，所述间隔距离为1cm或更小。

4.如权利要求3所述的装置，其中，所述间隔距离为2mm或更小。

5.如权利要求3所述的装置，其中，所述间隔距离通过来自距离传感器的反馈被主动地控制。

6.如权利要求1所述的装置，其中，所述抽吸区围绕所述反应物出口区。

7.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其还包括耦合到一个或多个真空管道的一个或多个额外的抽吸区，其中所述额外的抽吸区围绕所述抽吸区。

8.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，所述反应物出口区的长度至少等于或大于在所述装置中要处理的衬底的直径。

9.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，所述反应物出口区具有在平行于所述衬底支撑件的方向上的宽度，所述宽度为介于0.5mm至10cm之间。

10.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，所述反应物出口区通过分离器与所述抽吸区分隔，所述分离器具有介于0.5mm-2cm之间的宽度，所述分离器的所述宽度将所述反应物出口区与所述抽吸区分隔开。

11.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，所述抽吸区具有介于1mm-5cm之间的宽度。

12.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，所述喷射头还包括覆盖所述反应物输送管道和所述真空管道的外壳。

13.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，所述喷射头的所述上表面涂覆有抗溅射材料。

14.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，所述喷射头被配置成局部输送在输送之前不彼此混合的两种或更多种单独的反应物。

15.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其还包括用于提供额外的反应物气体的额外的喷射头。

16.如权利要求1-6中的任何一项所述的装置，其中，传感器、传感器头、检测器、或者检测器头中的至少一个被安装在所述喷射头上，邻近于所述喷射头，或集成在所述喷射头内。

17.如权利要求16所述的装置，其中，所述传感器和/或检测器中的一个或多个被配置成监测(i)所述反应物，(ii)一种或多种反应物副产物，和/或(iii)所述衬底中的至少一个。