[发明专利]工艺分离型基板处理装置及处理方法有效
| 申请号： | 201510494732.5 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105374714B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵允仙;金瀚沃 | 申请（专利权）人： | 杰宜斯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 液体处理工艺 第二腔室 分离型 第一腔室 基板供应 处理液 半导体晶片 清洗工艺 蚀刻工艺 移送单元 基板 腔室 室内 | ||
1.一种工艺分离型基板处理装置，其特征在于，包括：
第一腔室，包括并执行使基板处理面朝下向所述基板的下部供应第一处理液的液体处理工艺；
第二腔室，包括并执行使基板处理面朝上向所述基板的上部供应第二处理液的液体处理工艺；及
移送单元，翻转所述第一腔室的基板来移送到所述第二腔室；
其中，所述第一处理液为在液体处理工艺时可生成结晶的药液，或者与第二处理液相互反应而生成结晶的药液，所述第一腔室还包括加热所述基板的加热单元。
2.根据权利要求1所述的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，
所述第一处理液为对所述基板执行蚀刻工艺或PR剥离工艺的溶液，
所述第二处理液为SC1溶液。
3.根据权利要求1所述的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，
所述第一处理液为包括在HF、LAL、SPM、H3PO4中的一种的药液，
所述第二处理液为包括SC1溶液的药液。
4.根据权利要求1所述的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，
所述第二腔室在执行清洗工艺之后，还执行干燥工艺。
5.根据权利要求1所述的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，
在所述第一腔室中执行的工艺还包括清洗及干燥工艺，
在所述第一腔室处理的基板以完全干燥之前的状态被移送到所述第二腔室。
6.根据权利要求1所述的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，
所述第一腔室及第二腔室上下配置，
所述移送单元在所述第一腔室及第二腔室之间移送所述基板。
7.根据权利要求1所述的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，
所述第一腔室及第二腔室左右平行地配置，
所述移送单元在所述第一腔室及第二腔室之间移送所述基板。
8.根据权利要求1所述的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，还包括执行清洗及干燥所述基板的第三腔室，
所述移送单元为在第一腔室、第二腔室及第三腔室之间移送所述基板的移送单元。
9.一种工艺分离型基板处理方法，利用权利要求1的工艺分离型基板处理装置，其特征在于，包括：
第一液体处理步骤，向第一腔室处理的基板下部供应第一处理液；
基板移送步骤，将所述基板从所述第一腔室翻转并移送至所述第二腔室；及
第二液体处理步骤，向所述第二腔室处理的所述基板上部供应第二处理液，
其中，所述第一处理液为在液体处理工艺时可生成结晶的药液，或者与第二处理液相互反应而生成结晶的药液。
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