[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置及其控制方法有效
申请号: | 201510498377.9 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN105070738B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 宋松;永山和由 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G09G3/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示面板 传感单元 柔性显示装置 衬底基板 生产效率 显示装置 掩膜 制造 检测 | ||
1.一种显示面板,包括:显示单元和用以检测所述显示单元亮度的传感单元,其特征在于,
所述传感单元与所述显示单元同步形成在同一衬底基板的不同区域,所述传感单元用于检测所述显示面板的亮度,并通过弯折或者切割后安装的方式使所述传感单元的感侧面相对所述显示面板的出光面设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底基板为柔性基板,且通过一折弯线分隔成显示区域和与所述显示区域相邻的传感区域,所述显示单元位于所述显示区域内,所述传感单元位于所述传感区域内,所述传感单元与所述显示单元关于所述折弯线对称。
3.根据权利要求1或2任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示单元包括有机发光二极管和第一薄膜晶体管,所述传感单元包括感光二极管。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管设置于位于第一薄膜晶体管的上方;
所述感光二极管的第一电极与所述第一薄膜晶体管的源漏金属层或者栅金属层同层设置,所述感光二极管的感光层与所述第一薄膜晶体管的有源层同层设置,所述感光二极管的第二电极与所述有机发光二极管远离所述衬底基板的上电极同层设置。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述传感单元还包括控制所述感光二极管信号输出的第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管同步形成。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,有机发光二极管靠近所述衬底基板的下电极采用反光材料制成。
7.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述传感单元与所述显示单元共用同一根栅线控制。
8.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述传感区域位于所述显示区域的一侧且与所述显示区域等大,或者,所述传感区域分别位于所述显示区域两侧。
9.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示区域包括多个显示分区,
所述传感区域设置有与所述显示分区一一对应的传感分区,每一传感分区内设置有至少一个传感单元。
10.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的显示区域内形成显示单元,在同一衬底基板上且与所述显示区域相邻的传感区域内同步形成传感单元,所述传感单元用于检测所述显示面板的亮度;
通过弯折或者切割后安装的方式使所述传感单元的感侧面相对所述显示面板的出光面设置。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述衬底基板为柔性基板,所述显示区域和所述传感区域通过一折弯线分隔,所述传感单元与所述显示单元关于折弯线对称。
12.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述显示单元包括有机发光二极管和第一薄膜晶体管,所述传感单元包括感光二极管;
在所述衬底基板的显示区域内形成显示单元,在同一衬底基板上且与所述显示区域相邻的传感区域内同步形成传感单元,包括:形成第一薄膜晶体管的工序和形成发光二极管的工序;
其中,在显示区域形成第一薄膜晶体管的源漏金属层或者栅金属层时,在所述传感区域同步形成所述感光二极管的第一电极;
在显示区域形成所述第一薄膜晶体管的有源层时,在所述传感区域同步形成所述感光二极管的感光层;
在显示区域形成所述有机发光二极管远离所述衬底基板的上电极时,在所述传感区域同步形成所述感光二极管的第二电极。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,所述传感单元还包括第二薄膜晶体管;
所述形成第一薄膜晶体管的工序中还同步形成所述第二薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的