[发明专利]一种采用二极管做传感器的温度测试电路

说明书

技术领域

本发明涉及传感技术领域，具体的说，是一种采用二极管做传感器的温度测试电路。

背景技术

温度（temperature）是表示物体冷热程度的物理量，微观上来讲是物体分子热运动的剧烈程度。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量，而用来量度物体温度数值的标尺叫温标。它规定了温度的读数起点（零点）和测量温度的基本单位。国际单位为热力学温标(K)。目前国际上用得较多的其他温标有华氏温标(°F)、摄氏温标(°C)和国际实用温标。从分子运动论观点看，温度是物体分子运动平均动能的标志。温度是大量分子热运动的集体表现，含有统计意义。对于个别分子来说，温度是没有意义的。根据某个可观察现象(如水银柱的膨胀)，按照几种任意标度之一所测得的冷热程度。

温度，根据某个可观察现象（如水银柱的膨胀），按照几种任意标度之一所测得的冷热程度。温度是物体内分子间平动动能的一种表现形式。分子运动愈快，即温度愈高，物体愈热；分子运动愈慢，即温度愈低，物体愈冷。从分子运动论观点看，温度是物体分子运动平均平动动能的标志，温度是分子热运动的集体表现，含有统计意义。

对于真空而言，温度就表现为环境温度，是物体在该真空环境下，物体内分子间平均动能的一种表现形式。物体在不同热源辐射下的不同真空里，物体的温度是不同的，这一现象为真空环境温度。比如，物体在离太阳较近的太空中，温度较高；物体在离太阳较远的太空中，反之，温度较低。这是太阳辐射对太空环境温度的影响。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种采用二极管做传感器的温度测试电路，利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路，用于对温度进行测试，整个电路具有设计简单、科学合理等特性。

本发明通过下述技术方案实现：一种采用二极管做传感器的温度测试电路，包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路，所述恒流源电路与二极管电路连接，所述的二极管电路包括硅二极管组，且硅二极管组的负极与恒流源电路连接，硅二极管组的正极与供电电源连接。

进一步的为更好的实现本发明，所述恒流源电路包括双路运算放大器IC1、晶体管VT1、输入偏置电路，所述输入偏置电路与双路运算放大器IC1的正极输入端连接，所述双路运算放大器IC1的输出端与晶体管VT1的基极连接，所述晶体管VT1的集电极与硅二极管组的负极连接，所述晶体管VT1的发射极与双路运算放大器IC1的负极输入端连接。

进一步的为更好的实现本发明，所述输入偏置电路包括稳压二极管VD1及电阻R1，所述电阻R1分别连接双路运算放大器IC1的正极和硅二极管组的正极；所述稳压二极管VD1的负极连接在双路运算放大器IC1的正极输入端，且稳压二极管VD1的正极通过电阻R2与晶体管VT1的发射极连接。

进一步的为更好的实现本发明，所述双路运算放大器IC2采用TA75458，所述电阻R1采用1KΩ电阻，所述电阻R2采用1.2KΩ电阻，所述晶体管VT1采用NON三极管2SC1815。

进一步的为更好的实现本发明，所述硅二极管组包括相互串联的硅二极管D1及硅二极管D2。

进一步的为更好的实现本发明，还包括输出放大电路，所述输出放大电路包括双路运算放大器IC2，所述双路运算放大器IC2的负极输入端连接供电电源；所述双路运算放大器的正极输入端连接硅二极管组的负极；所述双路运算放大器IC2的正极输入端与输出端之间连接有电阻R5。

进一步的为更好的实现本发明，所述双路运算放大器IC2的负极输入端通过电阻R3连接供电电源；所述双路运算放大器的正极输入端通过电阻R4连接硅二极管组的负极。

进一步的为更好的实现本发明，在所述双路运算放大器IC2的负极输入端于地之间还连接有电阻R6。

进一步的为更好的实现本发明，所述双路运算放大器IC1采用TA75458，所述电阻R3采用10KΩ电阻，所述电阻R4采用10KΩ电阻，所述电阻R5采用100KΩ电阻，所述电阻R6采用100KΩ电阻。

进一步的为更好的实现本发明，所述供电电源采用+12V电源。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

本发明利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路，用于对温度进行测试，整个电路具有设计简单、科学合理等特性。

附图说明

图1为本发明的原理图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。

实施例1：