[发明专利]一种二维层状结构V2C电极材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201510500373.X | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105070513A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 赵家昌;夏楠;徐菁利;吴远东;庞雷;石静山;王昕;李长青 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学;上海赛特康新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/22;H01G11/86 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 王小荣 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 层状 结构 sub 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，该方法首先通过高温固相法制备二维碳化物晶体V2AlC，再采用HF溶液浸蚀V2AlC，将二维碳化物晶体V2AlC中的Al原子层刻蚀掉，即制得所述的二维层状结构V2C电极材料。
2.根据权利要求1所述的一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：
(1)在惰性气体氛围中，将钒粉、铝粉及石墨粉按物质的量比为2:(1-1.5):1一起加入到球磨罐中，球磨混合3-6h，制得前驱体混料；
(2)将前驱体混料转移至管式炉中，通入惰性气体，管式炉以4-6℃/min升温至1300-1600℃，恒温处理2-5h，即制得二维碳化物晶体V2AlC；
(3)将二维碳化物晶体V2AlC置于HF溶液中，浸蚀60-120h，过滤，洗涤，干燥，即制得所述的二维层状结构V2C电极材料。
3.根据权利要求2所述的一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，所述的球磨罐中的球料比为(1-2)：1。
4.根据权利要求2所述的一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，所述的管式炉以5℃/min升温至1500℃，恒温处理4h。
5.根据权利要求2所述的一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，所述的HF溶液的质量分数为10-30％。
6.根据权利要求2所述的一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，所述的二维碳化物晶体V2AlC在HF溶液中的浸蚀时间为90h。
7.根据权利要求2所述的一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，所述的钒粉、铝粉及石墨粉的纯度均为分析纯。
8.根据权利要求2所述的一种二维层状结构V2C电极材料的制备方法，其特征在于，所述的石墨粉为人造石墨粉。
9.一种采用权利要求1至8中任一项所述的方法制备得到的二维层状结构V2C电极材料。
10.权利要求9所述的二维层状结构V2C电极材料用于制备超级电容器。
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