[发明专利]一种单分子测序芯片的制备方法

权利要求书

1.一种单分子测序芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

(1)取一基板，根据设计好的反应池阵列的图形模板，采用光刻法在基板的表面制作反应池阵列的阳膜；

(2)用模型胶浇注所述阳膜，经过真空除气后，在90-100℃下固化1-3h，使所述反应池阵列的阳膜转移在所述模型胶的底部，揭膜，得到带有多个流道的模型胶层，并在每个流道的两端各打一个孔，形成流体输入孔和输出孔，得到基片，所述基片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基片第一表面间隔设置有多个流道形成的反应池阵列，每个所述流道相对设置的两个侧壁沿所述流道的长度方向延伸并在所述流道的两端交汇形成两个带有夹角的锥形末端，所述流体输入孔和流体输出孔分别设置在两个锥形末端表面并与所述基片第二表面连通；

(3)基底修饰：取一透明基底，在所述透明基底的表面制备一聚甲基戊二酰亚胺层，得到表面修饰的透明基底；

(4)封装芯片：将上述基片与所述表面修饰的透明基底进行氧等离子体清洗，之后将所述基片与透明基底压合形成容纳流体的空间；然后往每个流道内注入N-甲基吡咯烷酮，以清洗掉与各流道接触的聚甲基戊二酰亚胺层，得到位于所述透明基底表面的间隔层，以完成单分子测序芯片的制备；其中，所述间隔层与所述基片第一表面接触且所述间隔层对应所述流道所在的位置形成有腐蚀凹槽。

2.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述聚甲基戊二酰亚胺层的厚度为1-5μm。

3.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述每个流道内N-甲基吡咯烷酮的注入量为100-500μL。

4.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述反应池阵列包括15-25个流道，相邻流道之间的间距为1-1.5mm。

5.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，每个所述流道相对设置的两个侧壁为每个流道的宽度，每个所述流道的宽度为1-2mm；每个所述流道的深度为0.6-1mm。

6.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述基片的材质包括聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、乙烯-醋酸乙烯和聚胺脂中的一种。

7.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述光刻法包括以下步骤：

a、将负性光刻胶通过旋涂法制备到基板表面，得到匀胶后的基板，其中基板表面的光刻胶层厚度为600-650μm；

b、对匀胶后的基板进行前烘处理，所述前烘的温度控制为：缓慢加热到90-100℃并稳定15-20min，之后自然冷却至室温；

c、将设计好的反应池阵列的图形模板作为掩膜版，并覆盖在前烘处理后的基板表面，进行曝光处理，曝光时间为90-150s；

d、将曝光后的基板进行后烘处理，所述后烘的温度控制为：先缓慢加热到90-95℃并稳定5-10min，之后自然冷却至室温；

e、将后烘处理后的基板浸入显影液中，进行显影处理，清洗掉掩膜版以外的部分，得到反应池阵列的阳膜。

8.如权利要求7所述的芯片的制备方法，其特征在于，在所述光刻法的步骤e之后，还包括以下处理：

f、将步骤e得到的反应池阵列的阳膜进行硬烘处理，所述硬烘是在所述阳膜上加一玻璃板，并压一铁块，加热至130-150℃下烘烤45-60min。

9.如权利要求7所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述前烘的温度控制为：先在65℃时烘烤6min，再按1℃/min的速率逐渐升温至95℃，保持20min，自然冷却至室温。

10.如权利要求7所述的芯片的制备方法，其特征在于，步骤e中，所述后烘的温度控制为：先以0.5℃/min的速率逐渐升温至95℃，保持5min，再以1-3℃/min的速率自然冷却至室温。