[发明专利]梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法

权利要求书

1.一种梯形像素Bank结构的制备方法，包括以下步骤：

提供一TFT背板，在所述TFT背板的电极上涂覆一层Bank材料，对所述Bank材料进行烘烤处理，以形成与所述电极具有粘性的Bank层，其中，所述Bank材料为正性Bank材料；

将图形化的掩膜板平行置于所述Bank层的上方，在所述掩膜板的上方设置光源，在所述光源与所述掩膜板之间、所述掩膜板与所述Bank层之间，分别设置与所述Bank层平行的第一光学棱镜和第二光学棱镜，所述光源发出的光线经聚光装置进行聚光处理后，透过所述第一光学棱镜照射所述掩膜板，经所述第二光学棱镜对所述Bank层进行两次曝光处理，对经两次曝光处理后的所述Bank层依次进行显影，形成倒梯形像素区域，得到具有梯形Bank的梯形像素Bank结构，

其中，所述倒梯形像素区域中，倒梯形的顶边和底边分别以d、l表示，d＞l，所述Bank层的高度以h表示，所述梯形Bank的底边与所述倒梯形像素区域的侧边形成的夹角以α表示，所述两次曝光处理的方法为：

第一次曝光处理：调节两个光学棱镜使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角，同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜，使所述光线扫描式照射所述掩膜板，进行第一次曝光；

第二次曝光处理：与第一次曝光处理反方向调整两个光学棱镜(180°-2α)，使得透过两个光学棱镜的光源与所述Bank层之间形成(90°-α)的夹角，同步移动所述掩膜板和所述Bank层、或同步移动所述光源、聚光装置、第一光学棱镜和第二光学棱镜，使所述光线扫描式照射所述掩膜板，进行第二次曝光；

所述d、h、α之间满足ctgα＜d/2h。

2.如权利要求1所述梯形像素Bank结构的制备方法，其特征在于，所述TFT背板为柔性TFT背板，所述柔性TFT背板包括在硬质载体衬底上依次形成的复合膜柔性基板、TFT阵列和电极，其中，所述复合膜柔性基板包括依次层叠设置在所述硬质载体衬底上的离型层和柔性基板层，所述TFT阵列设置在所述柔性基板层上。

3.如权利要求2所述梯形像素Bank结构的制备方法，其特征在于，所述离型层为有机超薄聚酰亚胺膜和无机氧化物薄膜中的一种；和/或

所述柔性基板层采用聚酰亚胺类材料制作。

4.如权利要求2所述梯形像素Bank结构的制备方法，其特征在于，所述离型层的厚度为1-5μm，和/或

所述柔性基板层的厚度为10-20μm。

5.如权利要求2或3所述梯形像素Bank结构的制备方法，其特征在于，所述TFT阵列为氧化物TFT阵列，且在所述硬质载体衬底和所述氧化物TFT阵列之间、或所述复合膜柔性基板和所述氧化物TFT阵列之间设置有缓冲层。

6.如权利要求5所述梯形像素Bank结构的制备方法，其特征在于，还包括对所述氧化物TFT阵列进行退火处理，所述退火处理的温度为330-365℃。

7.如权利要求1-3任一所述梯形像素Bank结构的制备方法，其特征在于，对所述Bank材料进行烘烤处理的方法为，在温度为80-100℃条件下烘烤25-30s后，在温度为180-200℃条件下烘烤10-30min。

8.一种OLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供如权利要求1-7任一所述方法制备的梯形像素Bank结构；

在所述梯形像素Bank结构的倒梯形像素区域中，喷墨印刷有机功能层，对形成的所述有机功能层进行退火处理；

在所述梯形Bank和所述有机功能层上，蒸镀阴极层，形成OLED元件；

对所述OLED元件进行封装处理。