[发明专利]一种图像传感器芯片及制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上方形成隔离层；

在所述隔离层上形成光刻胶层，并在所述光刻胶层的中心区域进行开口，露出所述中心区域的所述隔离层；

刻蚀所述中心区域的所述隔离层和所述衬底，在所述衬底的中心区域形成沟槽；

除去所述沟槽外围区域剩余的光刻胶层；

在所述沟槽上方以及所述沟槽外围区域的上方形成牺牲氧化层，之后去除；

在所述沟槽内填充掺杂的单晶硅，形成光电二极管区。

2.如权利要求1所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述隔离层为氧化硅层或氮化硅层。

3.如权利要求1或2所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为

4.如权利要求1所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，利用光刻工艺在所述光刻胶层的中心区域进行开口。

5.如权利要求1所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，利用干法刻蚀工艺在所述衬底的中心区域刻蚀形成所述沟槽。

6.如权利要求1或5所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为2-3μm。

7.如权利要求1所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，利用湿法刻蚀去除所述沟槽上方以及所述沟槽外围区域上方的牺牲氧化层。

8.如权利要求1或7所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的厚度为

9.如权利要求1所述的图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，利用外延气相沉积工艺在所述沟槽内填充掺杂的单晶硅。

10.一种利用权利要求1-9任一项所述的图像传感器芯片的制造方法制备的图像传感器芯片。