[发明专利]薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在衬底基板上形成半导体层的图案；

在所述半导体层的图案上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，所述第一厚度光刻胶对应所述半导体层的图案中待形成沟道区的区域，所述第二厚度光刻胶对应所述半导体层的图案中待形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的区域；所述第一厚度光刻胶的厚度大于所述第二厚度光刻胶的厚度；

以所述第一光刻胶图案为阻挡掩模对所述半导体层的图案进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区的图案；

对所述第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除所述第二厚度光刻胶，并减薄所述第一厚度光刻胶，形成第二光刻胶图案；

以所述第二光刻胶图案为阻挡掩模对所述半导体层的图案进行轻掺杂离子注入工艺，形成沟道区、源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的图案；以及

去除所述第二光刻胶图案。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述源极轻掺杂区和所述源极重掺杂区构成薄膜晶体管的源极，所述漏极轻掺杂区和所述漏极重掺杂区构成薄膜晶体管的漏极，所述源极和漏极之间具有间隔以界定所述沟道区。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述第二厚度光刻胶位于所述第一厚度光刻胶的两侧。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，在所述半导体层的图案上还形成层间介电层，其中，在所述层间介电层上形成所述第一光刻胶图案。

5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，形成所述第一光刻胶图案包括：

形成光刻胶薄膜，采用多色调掩模板对所述光刻胶薄膜进行曝光和显影，形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述半导体层的图案中待形成沟道区的区域，所述光刻胶半保留区域对应所述半导体层的图案中待形成源极轻掺杂区和漏极轻掺杂区的区域。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述多色调掩模板包括半色调掩模板和灰色调掩模板。

7.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，还包括形成栅极的图案的步骤，其中，所述栅极的图案在形成所述半导体层的图案之前形成。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，还包括形成缓冲层的步骤，其中，所述缓冲层位于所述栅极的图案和所述半导体层的图案之间。

9.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述半导体层的材质包括多晶硅。

10.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述重掺杂离子注入工艺和所述轻掺杂离子注入工艺中进行n型掺杂。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，掺杂离子为磷离子。

12.一种阵列基板的制备方法，包括权利要求1-11任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。

13.一种阵列基板，采用权利要求12所述的方法制成。

14.一种显示装置，包括权利要求13所述的阵列基板。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述显示装置包括液晶显示装置或有机电致发光二极管显示装置。