[发明专利]一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料及其制备方法、应用有效

专利信息
申请号: 201510502489.7 申请日: 2015-08-14
公开(公告)号: CN105062475B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 邱建荣;秦嬉嬉;李杨;吴达坤 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C09K11/66 分类号: C09K11/66;A61K49/00;G01N21/64
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司44245 代理人: 陈文姬
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 bi sup 掺杂 外长 余辉 材料 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及近红外长余辉发光材料,特别涉及一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料及其制备方法、应用。

背景技术

长余辉材料是一种能够储存能量,在激发源关闭后具有相当长时间的余辉发射的发光材料。在日光或紫外线等光源的激发下吸收外界光源的能量,并将其储存起来,关闭激发光源后,在室温下以可见光的形式释放出来,形成长余辉发光。长余辉发光材料的主要用途在早期主要是黑暗环境中的指示照明,如用于紧急通道、火险通道的指示牌及其他设备上,既节能又环保。在资源日趋紧张的现代社会,长余辉发光材料作为一种新型、环保、高效、节能的发光材料越来越受到人们的关注。目前,长余辉发光材料得到迅猛的发展,已在应急照明、特殊指示、交通标识、工艺美术等诸多领域得到广泛应用。近年来又逐渐拓展到生物标示、医学探测、信息存储、高能射线探测等应用领域。作为长余辉发光材料多色化的关键技术之一,近红外长余辉发光材料的制备与研究一直是关注的焦点。

但是,近红外长余辉的发展远远落后于可见长余辉,近红外区域的发展极其缓慢。主要存在两个方面。一,由于近红外长余辉发光的发射波长范围受到限制,具有近红外长余辉的离子种类非常少。到现在为止,只有Mn4+,Mn2+和 Cr3+的红光和650-1000nm近红外光被广泛的报道。二,合适的基质更是少之又少,从而造成了余辉时间较短,很难优化长余辉性质。Mn2+只能在Zn2+的四面体中才能观察到长余辉现象,而Cr3+则只能在Ga3+的八面体位置才能观察到长余辉现象,所以只有部分Zn的含氧酸盐和镓酸盐中才能观察到长余辉发光。

由于长余辉材料有其独特的性能,尤其是在生物透过窗口(650-1400nm),它具有寿命长,低自体荧光,高信噪比,深组织穿透性等优良特性,被认为是新一代生物标记材料最有潜力的替代者。研究近红外长余辉材料对于提高光学成像的分辨率,减弱光干扰作用,分析细胞、组织及其他复杂系统的结构和功能有重大意义。因此,寻找新的近红外长余辉发光材料的基质和离子变得尤为重要。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点与不足,本发明的目的在于提供一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料,其长余辉发光波长范围位于650nm-1000nm,发射峰的峰位位于800nm左右。

本发明的另一目的在于提供上述Bi2+掺杂的近红外长余辉材料的制备方法。

本发明的再一目的在于提供上述Bi2+掺杂的近红外长余辉材料的应用。

本发明的目的通过以下技术方案实现:

一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料,基质材料为ASnO3,掺杂元素为Bi、 M、N;其中A为Ca、Sr中的一种,M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种,N 为Y、La中的一种;x的范围为0.1mol%~5mol%,y的范围为0.1mol%~5mol%, z的范围为0.1mol%~5mol%。

所述的Bi2+掺杂的近红外长余辉材料的制备方法,包括以下步骤:

(1))称量物料:分别称量含锡化合物、含铋化合物、含A化合物、含M 化合物、含N化合物;

其中,含A化合物为含Ca化合物、含Sr化合物中的一种;

所述含M化合物为含Mo化合物、含Zr化合物、含Nb化合物、含Ti化合物、含Cr化合物中的一种;

所述含N化合物为含Y化合物、含La化合物中的一种;

(2)步骤(1)所称量的物料经研磨混匀后在空气中1000~1300℃烧制2~8 小时,得到Bi2+掺杂的近红外长余辉材料。

所述含锡化合物为氧化锡。

所述含铋化合物为氧化铋。

所述含Ca化合物为碳酸钙;所述含Sr化合物为碳酸锶。

所述含Mo化合物为氧化钼;所述含Zr化合物为氧化锆;所述含Nb化合物为氧化铌;所述含Ti化合物为氧化钛;所述含Cr化合物为氧化铬。

所述含Y化合物为氧化钇;所述含La化合物为氧化镧。

所述的Bi2+掺杂的近红外长余辉材料的应用,,用于生物标记成像。

与现有技术相比,本发明具有以下优点和有益效果:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510502489.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top