[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的半导体层和刻蚀阻挡层，其中，所述刻蚀阻挡层覆盖部分所述半导体层；

所述通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的半导体层和刻蚀阻挡层的步骤具体包括：

依次形成半导体层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；

在所述刻蚀阻挡层薄膜上形成第一光刻胶，对所述第一光刻胶进行曝光，显影，形成具有第一图案的第一光刻胶，所述具有第一图案的第一光刻胶包括光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域；

以所述具有第一图案的第一光刻胶为掩膜，对所述刻蚀阻挡层薄膜进行蚀刻，去除对应第一光刻胶的光刻胶不保留区域的所述刻蚀阻挡层薄膜，形成所述刻蚀阻挡层；

对所述具有第一图案的第一光刻胶进行曝光后烘烤工艺，使得所述具有第一图案的第一光刻胶包覆所述刻蚀阻挡层，形成具有第二图案的第一光刻胶，且所述具有第二图案的第一光刻胶覆盖部分半导体层薄膜；

以所述具有第二图案的第一光刻胶为掩膜，对半导体层薄膜进行蚀刻，去除剩余的第一光刻胶形成所述薄膜晶体管的半导体层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀对所述刻蚀阻挡层薄膜进行蚀刻，采用湿法刻蚀对所述半导体层薄膜进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括采用CF₄/O₂进行蚀刻，所述湿法刻蚀包括采用H₂SO₄和HNO₃的混合酸液进行蚀刻。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极，形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的步骤具体包括：

在所述刻蚀阻挡层上形成源漏金属层薄膜；

在所述源漏金属层薄膜上形成第四光刻胶，对所述第四光刻胶进行曝光、显影，形成具有光刻胶完全保留区域和光刻胶不保留区域的第四光刻胶；

通过刻蚀去除对应第四光刻胶的光刻胶不保留区域的源漏金属层薄膜；

去除剩余的第四光刻胶，形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过搭接的方式与所述半导体层电性接触。