[发明专利]低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管及各自制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基底上方形成非晶硅薄膜；

采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构；

在所述起伏结构中各个波峰等间距分布，且两相邻波峰之间的距离为0.3μm至2μm。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的扫描方向平行于所述起伏结构的波峰的指向方向。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的能量密度为350mJ/cm²至550mJ/cm²。

4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的脉冲宽度为30ns至200ns。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述在基底上方形成非晶硅薄膜之前还包括：

在基底上形成缓冲层的步骤。

6.根据权利要求5所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层包括氧化硅、氮化硅中的至少一层结构。

7.根据权利要求5所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为150nm至300nm。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述起伏结构的形状为三角波或者波浪形。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述激光退火具体为：准分子激光退火或连续波固态激光退火。

10.一种低温多晶硅薄膜，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜采用权利要求1-9中任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法制成。

11.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法。

12.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括通过工艺形成包括有源层的步骤，其特征在于，形成所述有源层的步骤具体包括：

在基底上方形成非晶硅薄膜；

采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火，形成低温多晶硅薄膜；其中，所述掩模板包括透光区和将透光区包围的遮光区，且所述遮光区的两条相对的侧边为起伏结构；其中，在所述起伏结构中各个波峰等间距分布，且两相邻波峰之间的距离为0.3μm至2μm；

对低温多晶硅薄膜通过构图工艺，形成包括有源层的图形。

13.根据权利要求12所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基底上方形成非晶硅薄膜之前还包括：

在基底上形成缓冲层的步骤。

14.根据权利要求12或13所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述采用掩模板对非晶硅薄膜进行激光退火的步骤中，激光的扫描方向平行于所述起伏结构的波峰的指向方向。

15.根据权利要求14所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成包括有源层的图形之后还包括：

通过构图工艺形成包括源极和漏极的图形；其中，所述源极和所述漏极中心连线的方向与所述激光的扫描方向平行。