[发明专利]一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法在审
申请号: | 201510503651.7 | 申请日: | 2015-08-17 |
公开(公告)号: | CN105098080A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 李世彬;李杭倩;陈乐毅;王美娟;陈志 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;H01L21/324 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制造 有机 无机 钙钛矿 晶体 薄膜 方法 | ||
1.一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法,其特征在于,包括:
清洗柔性衬底;
在所述柔性衬底上形成有机无机钙钛矿薄膜;
在N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜蒸汽气氛下对所述有机无机钙钛矿薄膜进行退火处理。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜蒸汽气氛下对所述有机无机钙钛矿薄膜进行退火处理包括:
将形成了所述有机无机钙钛矿薄膜的所述柔性衬底置于加热台上;
加热所述加热台至退火温度;
用覆盖装置覆盖所述柔性衬底;
在所述加热台上所述覆盖装置的边缘与所述加热台接触位置的内侧的位置处添加N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜;
将所述有机无机钙钛矿薄膜退火预定时间。
3.如权利要求1或者2所述的方法,其特征在于,所述清洗柔性衬底包括:依次用洗洁精水、丙酮、无水乙醇和去离子水清洗所述柔性衬底,每次清洗15-45分钟,然后使所述柔性衬底干燥。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的方法,其特征在于,在所述柔性衬底上形成有机无机钙钛矿薄膜包括:
将铅卤化物溶液涂于所述柔性衬底上并干燥,在柔性衬底上形成铅卤化物层;
将柔性衬底上的所述铅卤化物层在异丙醇中预浸湿;
将甲胺卤化物溶液涂于预浸湿了的所述铅卤化物层上。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于:所述铅卤化物溶液的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜,所述铅卤化物溶液中铅卤化物的浓度为0.8-1.25摩尔/升;所述甲胺卤化物溶液的溶剂为异丙醇,所述甲胺卤化物溶液中甲胺卤化物的浓度为5-12毫克/毫升。
6.如权利要求1至3中任意一项所述的方法,其特征在于,在所述柔性衬底上形成有机无机钙钛矿薄膜包括:
将铅卤化物和甲胺卤化物溶解于N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜中,获得混合溶液;
将所述混合溶液涂于所述柔性衬底上。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于:所述铅卤化物和所述甲胺卤化物的摩尔比为1:1至1:3。
8.如权利要求2所述的方法,其特征在于:在所述覆盖装置的边缘处添加的N,N-二甲基甲酰胺或者二甲基亚砜的量为10-3至50-3毫摩尔。
9.如权利要求1至7中任意一项所述的方法,其特征在于:退火温度为70至120摄氏度。
10.如权利要求1至7中任意一项所述的方法,其特征在于:退火时间为0.5至1.5小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510503651.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于量子点的电致发光器件及显示装置
- 下一篇:相变化记忆体的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择