[发明专利]一种基于IGCT的H桥功率模块

权利要求书

1.一种基于IGCT的H桥功率模块，其特征在于，包括：

IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串，其中，所述IGCT压装串包括沿一条直线压装的第一散热器、第一绝缘垫块、第一两电平电路中的两个IGCT以及第二两电平电路中的两个IGCT，所述续流二极管压装串包括沿一条直线压装的第二散热器、第二绝缘垫块、所述第一两电平电路中的两个续流二极管以及所述第二两电平电路中的两个续流二极管，所述吸收二极管压装串包括沿一条直线压装的第三散热器、第三绝缘垫块、所述第一两电平电路中的一个吸收二极管以及所述第二两电平电路中的一个吸收二极管；

支撑架，用于支撑所述IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串。

2.如权利要求1所述的H桥功率模块，其特征在于，所述第一两电平电路中的两个IGCT之间的公共端与所述第一两电平电路中的两个续流二极管之间的公共端之间通过第一L型母排连接，所述第一L型母排作为所述第一两电平电路的输出端。

3.如权利要求2所述的H桥功率模块，其特征在于，所述第二两电平电路中的两个IGCT之间的公共端与所述第二两电平电路中的两个续流二极管之间的公共端之间通过第二L型母排连接，所述第二L型母排作为所述第二两电平电路的输出端。

4.如权利要求1所述的H桥功率模块，其特征在于，所述第一散热器、第二散热器以及第三散热器的母排连接端在一个平面上。

5.如权利要求1所述的H桥功率模块，其特征在于，所述第一两电平电路和所述第二两电平电路共用一个吸收电感，且所述吸收电感设置于所述基于IGCT的H桥功率模块的外部输入端。

6.如权利要求5所述的H桥功率模块，其特征在于，所述第一两电平电路的吸收电阻设置于所述基于IGCT的H桥功率模块的外部输入端。

7.如权利要求6所述的H桥功率模块，其特征在于，所述第二两电平电路的吸收电阻设置于所述基于IGCT的H桥功率模块的外部输入端。

8.如权利要求1所述的两电平功率模块，其特征在于，所述支撑架包括平行的第一压板和第二压板，所述IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串的第一端均安装在所述第一压板上，所述IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串的第二端均安装在所述第二压板上。