[发明专利]选择性背场结构的制备工艺与N型太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性背场结构的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：

步骤A1，采用扩散的方式在硅基底的第一表面形成N⁺层，所述N⁺层中的远离所述硅基底的表面层为磷硅玻璃层；

步骤A2，采用激光按照预定图形扫描所述N⁺层，在所述N⁺层中形成N⁺⁺层；以及

步骤A3，湿法腐蚀所述N⁺层，去除所述磷硅玻璃层或者去除所述磷硅玻璃层及部分所述N⁺⁺层，形成选择性背场结构。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，采用HF和HNO₃的混合溶液实施所述湿法腐蚀。

3.一种N型太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括：

步骤S1，在硅基底的第一表面形成选择性背场结构，

其特征在于，所述选择性背场结构通过权利要求1或2中所述的选择性背场结构的制备工艺得到。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1之后，所述制备方法还包括：

步骤S2，在所述硅基底的第二表面形成P型层；

步骤S3，去除经过所述步骤S2之后形成的结构的周向边缘部分；

步骤S4，在所述选择性背场结构的远离所述硅基底的表面上设置第一减反射层，在所述P型层的远离所述硅基底的表面上设置第二减反射层；

步骤S5，在所述第一减反射层的远离所述选择性背场结构的表面设置第一金属层，在所述第二减反射层的远离所述P型层的表面上设置第二金属层；以及

步骤S6，对所述第一金属层与所述第二金属层进行烧结，所述第一金属层形成第一电极，所述第二金属层形成第二电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一减反射层与所述第二减反射层之前，所述制备方法还包括在所述选择性背场结构的远离所述硅基底的表面上设置第一钝化层，在所述P型层的远离所述硅基底的表面上设置第二钝化层。

6.根据权利要求5中所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层为SiOx和SiNx形成的叠层或SiOx层，第二钝化层为SiOx和SiNx形成的叠层、Al₂O₃和SiNx形成的叠层、SiOx层或Al₂O₃层。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中采用扩散的方式在所述硅基底的第二表面形成所述P型层，所述P型层的远离所述硅基底的表面层为P硅玻璃层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4与所述步骤S5之间还包括：去除所述P硅玻璃层的步骤。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中采用干法刻蚀去除所述周向边缘部分。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，所述N型太阳能电池的制备方法还包括：清洗硅片表面的损伤层，并将所述表面织构化。