[发明专利]一种制备疏水性人工晶体的聚合物

权利要求书

1.一种用于制备疏水性人工晶体的聚合物，包括：

a)结构式(i)所示的第一单体；

b)结构式(ii)所示的第二单体；

c)第三单体甲基丙烯酸乙氧基乙酯；

d)任选的交联剂；

e)任选的热引发剂；

其中，结构式(i)为：

Y是C_nH_2n，n为1～6中的任意整数，

Ar是被1～5个取代基取代的或者未取代的芳基或杂芳基，所述取代基选自卤素、C₁-C₄烷基、C₁-C₄烷氧基、C₁-C₄烷基-S-、C₁-C₄卤代烷氧基和C₁-C₄卤代烷基；

结构式(ii)为：

Y是C_nH_2n，n为1～4中的任意整数，

Ar是被1～5个取代基取代的或者未取代的芳基或杂芳基，所述取代基选自卤素、C₁-C₄烷基、C₁-C₄烷基-O-、C₁-C₄烷基-S-、C₁-C₄卤代烷基-O-和C₁-C₄卤代烷基；

其中所述第一单体占所有单体质量总和的比例是25.0％～65.0％；

其中所述第二单体占所有单体质量总和的比例是5.0％～50.0％；

其中所述第三单体占所有单体质量总和的比例是5.0％～65.0％。

2.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述的第一单体选自丙烯酸苯乙酯、丙烯酸苯甲酯、丙烯酸苯己酯、丙烯酸苯丙酯、丙烯酸苯戊酯、丙烯酸苯异丁酯、丙烯酸苯异丙酯、丙烯酸-4-氯代苯乙酯和丙烯酸-4-溴代苯乙酯。

3.根据权利要求2所述的聚合物，其中所述的第一单体占所有单体质量总和的比例是30.0％～60.0％。

4.根据权利要求3所述的聚合物，其中所述的第一单体占所有单体质量总和的比例是35.0％～55.0％。

5.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述的第二单体选自甲基丙烯酸苯乙基酯、甲基丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸苯丙酯、甲基丙烯酸苯丁酯、甲基丙烯酸苯异丁基酯、甲基丙烯酸苯异丙酯、甲基丙烯酸-4-氯代苯乙酯和甲基丙烯酸-4-溴代苯乙酯。

6.根据权利要求5所述的聚合物，其中所述的第二单体占所有单体质量总和的比例是10.0％～40.0％。

7.根据权利要求6所述的聚合物，其中所述的第二单体占所有单体质量总和的比例是15.0％～30.0％。

8.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述的第三单体占所有单体质量总和的比例是10.0％～55.0％。

9.根据权利要求8所述的聚合物，其中所述的第三单体占所有单体质量总和的比例是20.0％～45.0％。

10.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述的交联剂选自乙二醇二甲基丙烯酸酯、二甘醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,3-丙二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、1,3-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1,5-二(甲基丙烯酰氧基)-2,2,3,3,4,4-六氟己烷、1,6-二(丙烯酰氧基)-2,2,3,3,4,4,5,5-八氟己烷和季戊四醇四丙烯酸酯中的一种或多种；交联剂占所有单体质量总和的比例是0.5％～8.0％。