[发明专利]一种具有集成二极管的异质结器件

权利要求书

1.一种具有集成二极管的异质结器件，包括从下往上依次设置的第一半导体衬底层(201)、第二半导体缓冲层(202)和第三半导体层(203)；所述第三半导体层(203)上表面两端分别设置有第一欧姆接触(101)与第二欧姆接触(103)，所述第一欧姆接触(101)与第二欧姆接触(103)之间具有第四半导体层(204)；所述第三半导体层(203)与第四半导体层(204)在接触界面形成异质结；其特征在于，所述第四半导体层(204)上表面靠近第一欧姆接触(101)的一端具有第一金属电极(102)，其靠近第二欧姆接触(103)的一端具有异质结基二极管(200)；所述的第一金属电极(102)、第一欧姆接触(101)、第二欧姆接触(103)及第一欧姆接触与第二欧姆接触(103)之间的第三半导体层(203)和第四半导体层(204)形成的异质结沟道构成异质结场效应晶体管；

所述异质结二极管(200)包括第五半导体层(205)和第六半导体层(206)，所述第五半导体层(205)位于第六半导体层(206)正下方，所述第五半导体层(205)和第六半导体层(206)在接触界面形成异质结；所述第六半导体层(206)上表面靠近第一金属电极(102)的一侧具有第二金属电极(104)，所述第六半导体层(206)中靠近第二欧姆接触(103)的一侧具有第三欧姆接触(105)，所述第二金属电极(104)与第一欧姆接触(101)电气连接，所述第三欧姆接触(105)和第二欧姆接触(103)电气连接；

所述第一金属电极(102)与第四半导体层(204)之间具有第一掺杂层(400)；

所述第二金属电极(104)与第四半导体层(204)之间具有为P型掺杂半导体层的第十半导体层(210)；所述第三欧姆接触(105)与第四半导体层(204)之间具有为N型掺杂半导体层的第十一半导体层(211)。

2.根据权利要求1所述的一种具有集成二极管的异质结器件，其特征在于，所述第一欧姆接触(101)与第二欧姆接触(103)之间还具有第一介质层(500)，所述第一介质层(500)位于第四半导体层(204)上表面；所述第一金属电极(102)和异质结基二极管(200)均位于第一介质层(500)中。

3.根据权利要求2所述的一种具有集成二极管的异质结器件，其特征在于，所述第一金属电极(102)正下方的第四半导体层(204)中具有第二掺杂层(600)。