[发明专利]真空气体保护压力烧结制备TiB2直流磁控溅射镀膜靶

权利要求书

1.真空气体保护压力烧结制备TiB₂直流磁控溅射镀膜靶,其特征在于使用真空气体保护压力烧结，对纯度为99.95％的TiB₂粉体进行球磨处理，然后装模，使用T＝1000℃烧结，增压至1MPa，得到半成品，进行机械加工，确保所有平面保持平整，角度成直角，得到TiB₂镀膜靶材；具体包含以下步骤：

1)对原料TiB₂粉体进行球磨处理，得到粒度细而均匀的颗粒；

2)将处理过的粉末进行装模；

3)对装模后粉末进行烧结和增压处理，烧结温度范围为1000—1800℃，压力范围为1MPa—20MPa；

4)经过烧结和增压处理得到半成品，对半成品进行加工处理将烧结完成的靶材坯体进行机械加工，确保所有平面保持平整，角度成直角，得到TiB₂镀膜靶材。

2.如权利要求1所述的真空气体保护压力烧结制备TiB₂直流磁控溅射镀膜靶，其特征就在于，以真空气体保护压力烧结制备，对纯度为99.95％的TiB₂粉体进行球磨处理，使其粒度小而均匀，然后装模，使用T＝1000℃烧结，增压至1MPa，得到半成品，最后对半成品进行加工处理将烧结完成的靶材坯体进行机械加工，确保所有平面保持平整，角度成直角，得到TiB₂镀膜靶材。然后保持压力不变，将温度升高至1200℃和1300℃等，以此类推，分别做多组实验，以得出性能优异的TiB₂镀膜靶材。

3.如权利要求1所述的真空气体保护压力烧结制备TiB₂直流磁控溅射镀膜靶，其特征在于真空气体保护压力烧结制备，TiB₂粉体外观颜色均匀一致的暗灰色粉末，无肉眼可见杂物；TiB₂粉体理化性能包括：比重4.52g/cm³，熔点2980℃，莫氏硬度＞9，电阻率12μΩ·M，与酸碱不起反应，耐磨、抗热震。