[发明专利]半导体硅锗薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

①用丙酮对单晶硅基片进行超声清洗5～10min，然后用甲醇超声清洗5～10min，再次用异丙醇超声清洗5～10min，最后用去离子水反复冲洗，干燥后将单晶硅基片置于衬底台上；

②将沉积系统的真空室抽真空至8×10^-8～9×10^-8Torr，使腔室温度保持在室温20～30℃，并维持真空室压强维持在8×10^-8～9×10^-8Torr；

③在单晶硅基片上溅射硅的单一薄膜，溅射压强为4×10^-4～5×10^-4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下硅薄膜的沉积速率；

④另取一单晶硅基片，溅射锗的单一薄膜，溅射压强为4×10^-4～5×10^-4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，计算得到当前参数下锗薄膜的沉积速率；

⑤采用共溅的方法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，溅射压强为4×10^-4～5×10^-4Torr，负极偏置电压为600～700V，溅射气体为氩气，气体流量为30sccm～50sccm，溅射时间为30～50min，测得所沉积薄膜的厚度，得到具有不同成分比的硅锗合金薄膜；

上述步骤③、步骤④和步骤⑤中的溅射压强、负极偏置电压、气体流量及溅射时间均保持一致，所述硅锗合金薄膜的厚度为64nm～280nm。

2.根据权利要求1所述的半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于所述硅锗合金薄膜中硅锗质量配比为3:4～2:5。