[发明专利]磁性随机存取存储器

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

处理单元；

电耦合到处理单元的第一存储器设备；以及

电耦合到所述第一存储器设备和所述处理单元的第二存储器设备，

其中，所述第一存储器设备被配置为读/写存储器，并且所述第一存储器设备的第一区段能够不可逆地转换成只读存储器，

其中，所述第二存储器设备被配置用于读写操作，并且

其中，所述第一存储器设备和所述第二存储器设备被集成在单个半导体芯片上。

2.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一存储器设备被配置用于磁性读/写操作，并且其中，所述第二存储器设备被配置用于读写操作。

3.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一存储器设备是MRAM，并且其中，所述第二存储器设备是SRAM。

4.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一存储器设备的第一部分被配置用于只读操作，所述第一存储器设备的第二部分被配置用于读写操作。

5.如权利要求4所述的设备，其中，所述第一部分的大小和所述第二部分的大小在任意给定时间变化。

6.如权利要求4所述的设备，其中，所述第一部分的大小与所述第二部分的大小的和是所述第一存储器设备的大小。

7.如权利要求4所述的设备，其中，所述第一部分包括一组数据或代码。

8.如权利要求4所述的设备，其中，所述第一部分包括用于算法的一组可编程指令。

9.一种半导体设备，包括：

被配置用于部分读写操作的第一存储器设备；以及

被配置用于读写操作的第二存储器设备，其中，所述第一存储器设备被配置用于不可逆地转换成部分只读操作。

10.如权利要求9所述的半导体设备，进一步包括：

处理单元，用于将所述第一存储器设备配置用于部分只读操作。

11.如权利要求9所述的半导体设备，其中，所述第一存储器设备包括用于只读操作的部分。

12.如权利要求11所述的半导体设备，其中，所述部分包括一组数据或代码。

13.如权利要求11所述的半导体设备，其中，所述部分包括用于算法的一组可编程指令。

14.如权利要求11所述的半导体设备，其中，所述部分包括第一部分和第二部分，并且其中，所述第一部分包括第一组数据或代码，并且其中，所述第二部分包括第二组数据或代码。

15.一种用于配置存储器设备的方法，所述方法包括：

将第一存储器设备配置用于读写操作和只读操作，使得从读写操作到只读操作的转换是不可逆的；以及

将第二存储器设备配置用于读写操作。

16.如权利要求15所述的方法，其中，配置所述第一存储器设备包括：

将所述第一存储器设备的第一部分配置用于只读操作；以及

将所述第一存储器设备的第二部分配置用于读写操作。

17.如权利要求16所述的方法，其中，配置所述第一部分包括：

将所述第一存储器设备的第一部分从读写操作配置为只读操作。

18.如权利要求16所述的方法，其中，配置所述第一部分包括：

将所述第一存储器设备的第一部分从读写操作配置为只读操作；以及

将所述第一存储器设备的第二部分配置用于只读操作。