[发明专利]DC‑DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器及方法有效
申请号: | 201510505777.8 | 申请日: | 2015-08-17 |
公开(公告)号: | CN105048811B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 耿莉;商中夏;范世全;薛仲明;董力;张杰 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dc 变换器 时间 校正 定频跨 周期 控制器 方法 | ||
1.DC-DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器,其特征在于,包括基准电压模块、动态比较器Comp、时钟产生模块、导通时间校正模块、占空比产生模块及相应的两组电容阵列Cp、Cn和死区时间及驱动电路模块;
DC-DC变换器的输出端连接动态比较器Comp的第一比较端、基准电压模块和时钟产生模块,为动态比较器Comp提供比较电压信号Vout,为基准电压模块和时钟产生模块供电;
基准电压模块用于产生基准电压Vref,其输入动态比较器Comp的第二比较端;
时钟产生模块用于生成全局时钟信号CLK,其输入动态比较器Comp中;
动态比较器Comp的输出端连接占空比产生模块;
占空比产生模块的输出端连接死区时间及驱动电路模块;
导通时间校正模块的输入端连接DC-DC变换器的NMOS管Mn的栅电压Vn、DC-DC变换器的PMOS管Mp的栅电压Vp、DC-DC变换器的输出电压Vout、Vref、PMOS管Mp的漏极电压Vy和复位信号Reset,导通时间校正模块的输出端输出信号N[7:0]和P[7:0]分别用于控制电容阵列Cn和电容阵列Cp中对应控制开关的闭合;
死区时间及驱动电路模块的输出端连接DC-DC变换器的NMOS管Mn的栅极和DC-DC变换器的PMOS管Mp的栅极。
2.根据权利要求1所述的DC-DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器,其特征在于,电容阵列Cn,其由9个电容并联,容值由高位到低位逐渐减小,除最高位的电容外其余电容均由对应的控制开关Sn[7:0]控制。
3.根据权利要求1所述的DC-DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器,其特征在于,电容阵列Cp,由9个电容并联,各电容的容值相同,除一个电容外其余电容均由对应的控制开关Sp[7:0]控制。
4.根据权利要求1所述的DC-DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器,其特征在于,在CLK的每个上升沿,动态比较器Comp对DC-DC变换器的输出电压Vout与基准电压模块产生的基准电压Vref进行一次比较,如果Vout大于或等于Vref,在这个时钟周期内除时钟产生模块、动态比较器Comp和基准电压模块外的模块处于待机模式,不产生占空比信号。
5.根据权利要求1所述的DC-DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器,其特征在于,在CLK的每个上升沿,动态比较器Comp对DC-DC变换器的输出电压Vout与基准电压模块产生的基准电压Vref进行一次比较,如果Vout小于Vref,动态比较器Comp输出结果激活占空比产生模块,占空比产生模块产生的占空比信号输出给死区时间及驱动电路模块,死区时间及驱动电路模块根据接收的占空比信号输出控制电压Vn与Vp使NMOS管Mn和PMOS管Mp相应地开启与关闭,完成一次能量传输过程。
6.根据权利要求5所述的DC-DC变换器的导通时间校正定频跨周期控制器,其特征在于,在第一个Vout小于Vref的时钟周期,占空比产生模块根据Cn和Cp中的常通电容产生占空比信号;在接下来的时钟周期内,导通时间校正模块每个周期从高到低更新一次开关Sn[7:0]的状态,直到最后一个开关Sn[0]的状态更新后,开始更新开关Sp[7:0]的状态,直到最后一个开关Sp[0]的状态更新后,等待Reset信号进行复位;每个周期的开关状态更新后,占空比产生模块根据Cn和Cp中的电容值产生占空比信号。
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