[发明专利]一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器，从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al₂O₃薄膜层和顶电极，所述ZnO薄膜层和Al₂O₃薄膜层共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层。

2.根据权利要求1所述的双层薄膜结构的柔性阻变存储器，其特征在于，所述ZnO薄膜层的厚度为180～200nm，所述Al₂O₃薄膜层的厚度为5～8nm。

3.根据权利要求1所述的双层薄膜结构的柔性阻变存储器，其特征在于，所述底电极为Au、Ti、Pt、Al、Cu、Ag中的一种或几种，所述顶电极为Au、Ti、Pt、Al、Cu、Ag中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的双层薄膜结构的柔性阻变存储器，其特征在于，所述底电极和顶电极均由200nm厚的Au层和20nm～30nm厚的Ti层组成。

5.根据权利要求1所述的双层薄膜结构的柔性阻变存储器，其特征在于，所述柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜树脂或聚对苯二甲酸丁二酯。

6.一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：在柔性衬底上制备底电极；

步骤2：在步骤1得到的底电极上依次沉积ZnO、Al₂O₃薄膜，其中，ZnO薄膜的厚度为180～200nm，Al₂O₃薄膜的厚度为5～8nm，所述ZnO薄膜和Al₂O₃薄膜共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层；

步骤3：在步骤2得到的ZnO薄膜和Al₂O₃薄膜组成的阻变存储介质层上制备顶电极。

7.根据权利要求6所述的双层薄膜结构的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤2所述沉积ZnO薄膜时，采用的靶材为ZnO陶瓷靶材，薄膜的沉积温度为室温，氧气压强为10Pa，沉积ZnO薄膜的厚度为180～200nm；沉积Al₂O₃薄膜时，采用的靶材为Al₂O₃陶瓷靶材，薄膜的沉积温度为室温，氧气压强为7Pa，沉积Al₂O₃薄膜的厚度为5～8nm。

8.根据权利要求6所述的双层薄膜结构的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤1所述底电极和步骤3所述顶电极采用溅射、脉冲激光沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法或电子束蒸发法制备。