[发明专利]一种场发射的氮化物发光二极管

权利要求书

1.一种场发射的氮化物发光二极管，包括N型侧材料层、P型侧材料层、纳米锥状多量子阱和铜纳米丝，定义所述N型侧材料层包括N型接触电极、第一导电衬底、第一N型氮化物和若干个纳米锥状第二N型氮化物，所述P型侧材料层包括若干个纳米锥状第二P型氮化物、第一P型氮化物、第二导电衬底和P型接触电极，所述纳米锥状多量子阱位于所述纳米锥状第二N型氮化物或所述纳米锥状第二P型氮化物上；所述铜纳米丝至少位于所述纳米锥状多量子阱或所述纳米锥状N型氮化物的任意一个尖端之上，或者是所述铜纳米丝至少位于所述纳米锥状多量子阱或所述纳米锥状P型氮化物的任意一个尖端之上，通过P型接触电极和N型接触电极加高压电场，引起尖端产生场发射效应，使电子和空穴复合发光，其中所述高压电场的电压为1V~1000KV。

2.根据权利要求1所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述第一导电衬底、第二导电衬底为碳化硅或硅或氮化镓或氮化铝或氧化锌。

3.根据权利要求1所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述纳米锥状为圆锥状或三角锥状或金字塔锥状。

4.根据权利要求1所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述若干个纳米锥状第二N型氮化物或纳米锥状第二P型氮化物的底部尺寸为100nm~900nm，尖端尺寸为1nm~100nm，底部间距为10nm~10μm。

5.根据权利要求1所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述多量子阱为In_xGa_1-xN/GaN(0≤x≤1) 叠层结构或Al_yGa_1-yN/Al_zGa_1-zN(0≤y≤1，0≤z≤1)叠层结构，厚度为1nm~1000nm。

6.根据权利要求1所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述铜纳米丝呈弯曲起伏的形状。

7.根据权利要求1所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述铜纳米丝的直径为5nm~500nm，长度为500nm~100μm。

8.根据权利要求1所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述N型侧材料层的尖端与所述P型侧材料层的尖端之间存在间隙。

9.根据权利要求8所述的一种场发射的氮化物发光二极管，其特征在于：所述间隙高度为10nm~100μm。