[发明专利]聚晶金刚石复合片、其制造方法和各种应用在审
申请号: | 201510507019.X | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN105063449A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | K·E·贝尔塔尼奥利;D·P·米斯;钱江;J·K·威金斯;M·A·韦尔;D·穆霍帕德海艾 | 申请(专利权)人: | 美国合成公司 |
主分类号: | C22C26/00 | 分类号: | C22C26/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金刚石 复合 制造 方法 各种 应用 | ||
1.聚晶金刚石复合片,其包括
基底,该基底包括基本上平坦的界面表面,和
聚晶金刚石台,该聚晶金刚石台表现出50微米以下的平均金刚石晶粒尺寸并且包括两个以上的层,所述两个以上的层包括:接合至所述基底的基本上平坦的界面表面的第一聚晶金刚石层,和远离所述基底的至少第二聚晶金刚石层,所述第一聚晶金刚石层表现出第一平均金刚石晶粒尺寸,并且所述第二聚晶金刚石层表现出小于所述第一平均金刚石晶粒尺寸的第二平均金刚石晶粒尺寸,该聚晶金刚石台的至少未沥滤部分包括:
多个金刚石晶粒,所述多个金刚石晶粒限定出多个间隙区域;和
占据所述多个间隙区域的至少一部分的金属溶剂催化剂;
其中所述多个金刚石晶粒和金属溶剂催化剂共同表现出115Oe以上的矫顽力和15G·cm3/g以下的比磁饱和。
2.根据权利要求1的聚晶金刚石复合片,其中所述第二平均金刚石晶粒尺寸是所述第一平均金刚石晶粒尺寸的90%至98%。
3.根据权利要求1的聚晶金刚石复合片,其中所述第二平均金刚石晶粒尺寸是所述第一平均金刚石晶粒尺寸的90%至95%。
4.根据权利要求1-3任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述平均金刚石晶粒尺寸是30微米以下。
5.根据权利要求1-3任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述平均金刚石晶粒尺寸是20微米以下。
6.根据权利要求1-3任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述平均金刚石晶粒尺寸是10微米至18微米。
7.根据权利要求1-6任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述第一聚晶金刚石层包括含钨材料,该含钨材料包括钨或碳化钨中的至少一种。
8.根据权利要求7的聚晶金刚石复合片,其中所述含钨材料在第一聚晶金刚石层中的存在量是15重量%以下。
9.根据权利要求8的聚晶金刚石复合片,其中所述含钨材料的量是5重量%至10重量%。
10.根据权利要求1-9任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述金属溶剂催化剂在所述至少未沥滤部分中的存在量是7.5重量%以下。
11.根据权利要求10的聚晶金刚石复合片,其中所述金属溶剂催化剂的量是0重量%至6重量%。
12.根据权利要求10的聚晶金刚石复合片,其中所述金属溶剂催化剂的量是3重量%至6重量%。
13.根据权利要求1-12任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述聚晶金刚石台的至少未沥滤部分的矫顽力是155Oe至175Oe,并且其中比磁饱和是10G·cm3/g至15G·cm3/g。
14.根据权利要求1-13任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述聚晶金刚石台的至少未沥滤部分表现出0.10G·cm3/g·Oe以下的比磁导率。
15.根据权利要求14的聚晶金刚石复合片,其中所述比磁导率是0.060G·cm3/g·Oe至0.090G·cm3/g·Oe。
16.根据权利要求1-15任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述基底的基本上平坦的界面表面包括多个突起物,不存在所述多个突起物时的基本上平坦的界面表面的表面积与具有所述多个突起物的基本上平坦的界面表面的表面积的比率是大于约0.600。
17.根据权利要求16的聚晶金刚石复合片,其中所述比率是约0.650至约0.950。
18.根据权利要求16的聚晶金刚石复合片,其中所述比率是约0.600至约0.650。
19.根据权利要求16的聚晶金刚石复合片,其中所述比率是约0.750至小于1.0。
20.根据权利要求1-15任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述基本上平坦的界面表面是平坦的。
21.根据权利要求1-20任一项的聚晶金刚石复合片,其中所述基底包括碳化钨、碳化铬、或它们的组合。
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