[发明专利]一种低反射率晶体硅太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510507274.4 申请日: 2015-08-18
公开(公告)号: CN105206705A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 申请(专利权)人: 广东爱康太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 代理人: 张伶俐
地址: 528100 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 反射率 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

a)对硅片依次进行去损伤层,扩散制p-n结和去磷硅玻璃;

b)在硅片正面制备第一减反薄膜;

c)在第一减反薄膜上进行激光打孔,形成纳米陷光结构;

d)在第一减反薄膜表面和纳米孔内制备第二减反薄膜,第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上形成复合减反薄膜;

e)快速退火;

f)在第二减反薄膜表面制备Ag正电极,在硅片背面制作Al背场和Ag背电极。

2.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述纳米陷光结构由均匀分布的纳米孔组成,纳米孔正好穿透所述第一减反薄膜。

3.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤a)中去损伤层是通过酸或者碱在硅片表面腐蚀掉一层1-5μm的硅损伤层。

4.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一减反薄膜为氮化硅薄膜,厚度为60-75nm,折射率为2.05-2.10。

5.如权利要求2所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述纳米孔的直径为50-500nm,纳米孔占硅片正面面积的5-25%。

6.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第二减反薄膜为氮化硅薄膜,厚度为10-25nm,折射率为2.0-2.05。

7.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第二减反薄膜为氧化硅薄膜,厚度为10-25nm,折射率为1.4-1.7。

8.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述复合减反薄膜的反射率为0.5-2.0%。

9.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤g)是采用快速退火炉进行退火,退火温度600-800℃,退火时间50-100s。

10.一种低反射率晶体硅太阳能电池,其特征在于,其由权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。

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