[发明专利]一种低反射率晶体硅太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201510507274.4 | 申请日: | 2015-08-18 |
公开(公告)号: | CN105206705A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反射率 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
a)对硅片依次进行去损伤层,扩散制p-n结和去磷硅玻璃;
b)在硅片正面制备第一减反薄膜;
c)在第一减反薄膜上进行激光打孔,形成纳米陷光结构;
d)在第一减反薄膜表面和纳米孔内制备第二减反薄膜,第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上形成复合减反薄膜;
e)快速退火;
f)在第二减反薄膜表面制备Ag正电极,在硅片背面制作Al背场和Ag背电极。
2.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述纳米陷光结构由均匀分布的纳米孔组成,纳米孔正好穿透所述第一减反薄膜。
3.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤a)中去损伤层是通过酸或者碱在硅片表面腐蚀掉一层1-5μm的硅损伤层。
4.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第一减反薄膜为氮化硅薄膜,厚度为60-75nm,折射率为2.05-2.10。
5.如权利要求2所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述纳米孔的直径为50-500nm,纳米孔占硅片正面面积的5-25%。
6.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第二减反薄膜为氮化硅薄膜,厚度为10-25nm,折射率为2.0-2.05。
7.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第二减反薄膜为氧化硅薄膜,厚度为10-25nm,折射率为1.4-1.7。
8.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述复合减反薄膜的反射率为0.5-2.0%。
9.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤g)是采用快速退火炉进行退火,退火温度600-800℃,退火时间50-100s。
10.一种低反射率晶体硅太阳能电池,其特征在于,其由权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的