[发明专利]一种低反射率晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)对硅片依次进行去损伤层，扩散制p-n结和去磷硅玻璃；

b)在硅片正面制备第一减反薄膜；

c)在第一减反薄膜上进行激光打孔，形成纳米陷光结构；

d)在第一减反薄膜表面和纳米孔内制备第二减反薄膜，第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上形成复合减反薄膜；

e)快速退火；

f)在第二减反薄膜表面制备Ag正电极，在硅片背面制作Al背场和Ag背电极。

2.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述纳米陷光结构由均匀分布的纳米孔组成，纳米孔正好穿透所述第一减反薄膜。

3.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤a)中去损伤层是通过酸或者碱在硅片表面腐蚀掉一层1-5μm的硅损伤层。

4.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一减反薄膜为氮化硅薄膜，厚度为60-75nm，折射率为2.05-2.10。

5.如权利要求2所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述纳米孔的直径为50-500nm，纳米孔占硅片正面面积的5-25％。

6.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二减反薄膜为氮化硅薄膜，厚度为10-25nm，折射率为2.0-2.05。

7.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二减反薄膜为氧化硅薄膜，厚度为10-25nm，折射率为1.4-1.7。

8.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述复合减反薄膜的反射率为0.5-2.0％。

9.如权利要求1所述的一种低反射率晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤g)是采用快速退火炉进行退火，退火温度600-800℃，退火时间50-100s。

10.一种低反射率晶体硅太阳能电池，其特征在于，其由权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。