[发明专利]一种有机材料阻变存储元件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机材料阻变存储元件，其特征是，其结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；所述下电极层为ITO层，所述阻变介质层为CH₃NH₃PbI_3−xCl₃层，所述上电极层为Ag层或Al层；

所述上电极层由若干均匀分布的直径为50μm~300μm的圆形电极膜构成。

2.根据权利要求1所述的有机材料阻变存储元件，其特征是，所述阻变介质层的厚度为10nm~500nm。

3.根据权利要求2所述的有机材料阻变存储元件，其特征是，所述阻变介质层的厚度为30nm~200nm。

4.一种有机材料阻变存储元件的制备方法，其特征是，包括如下步骤：

a、选择ITO玻璃作为衬底，衬底上的ITO层即为下电极层；将ITO玻璃依次置于丙酮、酒精和去离子水中超声清洗，之后取出用氮气吹干；

b、将ITO玻璃置于充满氮气的手套箱内的旋涂机上，在手套箱内将0.14~0.15 mol/L的PbCl₂溶液、1.26~1.28 mol/L的PbI₂溶液和1.2~1.4 mol/L的甲基铵碘化物溶液混合在一起形成旋涂溶液，再在旋涂溶液中倒入二甲基亚砜和γ丁内酯的混合物作为助溶剂；其中，二甲基亚砜和γ丁内酯的体积比为3~4:7~9；

c、采用溶胶-凝胶法将步骤b中的旋涂溶液旋涂在ITO玻璃上，控制旋涂过程中的转速及时间，在ITO玻璃的ITO层上形成CH₃NH₃PbI_3−xCl₃层，之后退火；CH₃NH₃PbI_3−xCl₃层即为阻变介质层；退火温度为90-120度，退火时间为20-40分钟；

d、将形成CH₃NH₃PbI_3−xCl₃层且退火处理后的ITO玻璃置于真空蒸发生长室内，借助掩膜版，在真空度为2×10^-4Pa ~ 6×10^-4Pa的条件下在CH₃NH₃PbI_3−xCl₃层上形成上电极层，所述上电极层的材料为Ag或Al。

5.根据权利要求4所述的有机材料阻变存储元件的制备方法，其特征是，步骤c中，设置旋涂过程中的时间为80s，且通过设置使前20s的转速为1000~1500 r/min，后60s的转速为5500~6000 r/min。

6.根据权利要求4所述的有机材料阻变存储元件的制备方法，其特征是，步骤d中，掩膜版上均布有直径为50μm~300μm的圆形孔。