[发明专利]数据储存设备及用于操作该数据储存设备的方法

说明书

一种数据储存设备的操作方法，包括：接收写入请求，确定是否可以执行同时将多位写入耦接至非易失性存储装置的一个字线的存储单元的每个中的第一写入操作，以及根据确定结果来对非易失性存储装置执行垃圾收集操作，并产生第一合并数据。

相关申请交叉引用

本发明要求2014年8月26日提交的申请号为10-2014-0111453的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

各种实施例涉及一种数据储存设备，更具体地，涉及一种用于数据储存设备来写入数据的方法。

背景技术

半导体存储装置可以用来储存数据。存储装置可以被分类成非易失性存储装置和易失性存储装置。

当电源被阻断时，易失性存储装置可丢失储存在其中的数据。易失性存储装置包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)等。一般而言，在数据处理系统中，易失性存储装置由于相对较高的处理速度而被用作缓冲存储器、高速缓冲存储器和工作存储器等。

相反地，非易失性存储装置即使在不被供电时仍可以维持储存在其中的数据。非易失性存储装置包括闪速存储器(诸如，与非(NAND)闪速存储器和或非(NOR)闪速存储器)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻随机存取存储器(ReRAM)等。

发明内容

在本发明的一个实施例中，一种数据储存设备的操作方法可以包括：当接收到写入请求时，确定第一写入操作是否可用，在第一写入操作中，同时将多位写入耦接至非易失性存储装置的一个字线的存储单元的每个中；以及当确定为第一写入操作不可用时，产生用于非易失性存储装置的第一合并数据。

在本发明的一个实施例中，一种数据储存设备可以包括：控制器，其适用于确定针对与写入请求相对应的写入数据的第一写入操作是否可用，并根据确定结果来执行垃圾收集操作；以及非易失性存储装置，其适用于在控制器的控制下执行第一写入操作。第一写入操作被执行以同时将多位写入耦接至一个字线的存储单元的每个中。

在本发明的一个实施例中，一种数据储存设备的操作方法可以包括：接收写入请求；确定与写入请求相对应的写入数据的长度是否可用于一次编程操作；当写入数据的长度被确定为不可用于一次编程操作时，在非易失性存储装置上执行垃圾收集操作以产生第一合并数据；以及在非易失性存储装置上针对写入数据执行一次编程操作。

根据本发明的实施例，数据储存设备可以同时在每个存储单元储存多个位。

附图说明

图1是图示根据本发明的一个实施例的数据储存设备的框图。

图2是图1中示出的存储区的详细示图。

图3是图示存储单元的阈值电压分布的示图。

图4是用于描述在执行第一写入操作时存储单元的阈值电压分布的变化的示图。

图5是用于描述图1中示出的数据储存设备的操作方法的流程图。

图6是用于描述通过对非易失性存储装置执行垃圾收集操作而产生第一合并数据的进程的流程图。

图7是用于描述图1中示出的数据储存设备的操作方法的流程图。

图8是用于描述图1中示出的数据储存设备的操作方法的流程图。

具体实施方式