[发明专利]基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器及加工方法

权利要求书

1.基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器，包括一个硅支撑结构(1)，一根从硅支撑结构(1)侧面贴靠底部插入的研抛端面为45°的光纤(2)，设置在硅支撑结构(1)顶部的声压敏感薄膜(3)，硅支撑结构(1)与声压敏感薄膜(3)构成珐珀腔；其特征在于，所述的声压敏感薄膜(3)为银薄膜，银薄膜内切圆直径与厚度的比值大于1000；所述的声压敏感薄膜(3)的厚度小于1微米，内切圆直径大于1000微米。

2.权利要求1所述基于45°光纤的非本征型光纤珐珀声压传感器的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a、加工设置有光纤插口的硅支撑结构(1)；包括以下步骤：

步骤a1、加工侧壁带有豁口的底座(11)，所述豁口作为硅支撑结构(1)的光纤插口，能够使光纤(2)穿过；

步骤a2、加工能够与底座(11)配合的支座(12)；

所述的步骤a1和步骤a2同步进行或按任意先后顺序；

步骤a3、按照支座(12)在上，底座(11)在下的顺序，将支座(12)与底座(11)键合，得到硅支撑结构(1)；

步骤b、在基座(4)上表面旋涂正性光刻胶(5)，通过电子束沉积、热蒸发或磁控溅射方法，在正性光刻胶(5)上表面沉积声压敏感薄膜(3)；

所述的步骤a和步骤b同步进行或按任意先后顺序进行；

步骤c、将硅支撑结构(1)顶端与声压敏感薄膜(3)粘贴在一起；

步骤d、利用能够溶解正性光刻胶(5)的溶剂溶解正性光刻胶(5)；

步骤e、将光纤(2)从光纤插口插入，调整光纤(2)的研抛端面与硅支撑结构(1)底面成45°角；利用六轴微位移台控制光纤(2)的插入距离和旋转角度，确保光纤(2)的研抛端面与硅支撑结构(1)底面成45°角；

步骤f、用环氧胶(6)将硅支撑结构(1)的光纤插口密封。