[发明专利]交流驱动QLED及其制备方法

权利要求书

1.一种交流驱动QLED，包括阳极层、量子点发光层和阴极层，其特征在于，还包括第一介电层、第二介电层、第一p-n结型电荷产生层和第二p-n结型电荷产生层，所述第一介电层、第一p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二p-n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上，

其中，所述第一介电层、第二介电层由金属氧化物制成；

所述第一p-n结型电荷产生层、第二p-n结型电荷产生层均包括层叠设置的p型电荷产生层和n型电荷产生层，且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述p型电荷产生层和所述n型电荷产生层；或

所述量子点发光层上下表面分别层叠所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层。

2.如权利要求1所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述第一介电层、第二介电层的介电常数为1-50。

3.如权利要求1所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述金属氧化物为氧化硅、氧化铝、氧化铪中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述第一介电层和/或第二介电层的厚度范围为20-500nm。

5.如权利要求1-3任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述p型电荷产生层和/或所述n型电荷产生层的厚度范围为5-50nm。

6.如权利要求1-3任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述p型电荷产生层为空穴迁移率＞10^-4cm²/(V·S)的P型半导体材料；和/或

所述n型电荷产生层为电子迁移率＞10^-4cm²/(V·S)的n型半导体材料。

7.如权利要求1-3任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，还包括空穴阻挡层和电子阻挡层，且所述空穴阻挡层层叠设置在所述量子点发光层和所述n型电荷产生层之间，所述电子阻挡层层叠设置在所述量子点发光层和所述p型电荷产生层之间。

8.一种如权利要求1-7任一所述交流驱动QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供阳极层基板，在所述阳极层基板上沉积第一介电层；

在所述第一介电层上依次沉积第一p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二p-n结型电荷产生层、第二介电层和阴极层。

9.如权利要求8所述交流驱动QLED的制备方法，其特征在于，沉积第一介电层、所述第二介电层的方法分别选自磁控溅射、化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积以及阳极氧化法中的一种；和/或

沉积所述第一p-n结型电荷产生层、第二p-n结型电荷产生层的方法分别为溶液法和真空蒸镀法中的一种。