[发明专利]电位分散‑微波酸洗法去除多晶硅线切割废料杂质的方法

权利要求书

1.电位分散-微波酸洗法去除多晶硅线切割废料杂质的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

步骤1.预分：

取一定量的已去除聚乙二醇等有机物的多晶硅线切割废料粉末，按照液固比3～6:1wt加入去离子水后，搅拌30～60分钟，用浓度为8-15%的有机酸铵的氨水溶液调节硅粉溶液的pH值至12-14,搅拌均匀后，放入超声波中分散，30～60分钟后，得到硅粉溶液，备用；

步骤2.中和：

将经过步骤1处理后的硅粉溶液在离心转速为4000-6000转/分钟，离心时间为15～25分钟，离心分离后，上清液可以循环使用，下层的硅粉取出后，加入少量的去离子水搅拌均匀，并用浓度为3mol/l的盐酸调节pH至中性，得到硅粉悬浮液，备用；

步骤3.微波酸洗：

将步骤2得到的硅粉悬浮液中加入一定量的浓度为2mol/l-5mol/l的无机酸溶液，放入微波化学反应器中，在微波功率为500-1000w下反应5～20分钟后取出，备用；

步骤4.过滤烘干：

将经过步骤3处理后的溶液，过滤、用去离子水洗涤3～5次后烘干，得到达到4-6N的硅粉，硅粉中的硼和磷的含量均可以达到太阳能级多晶硅中二者杂质的含量要求。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机酸铵盐为柠檬酸铵、草酸铵、酒石酸铵或苹果酸铵。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无机酸溶液为盐酸、硝酸、硫酸或柠檬酸。