[发明专利]一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法

权利要求书

1.一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；

S2、将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；

S3、将步骤S2制得的待用钴片进行氧化处理，得到氧化钴超电容电极材料。

2.根据权利要求1所述原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，所述钴片基体厚度为0.05～0.15mm。

3.根据权利要求1所述原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，步骤S1所述预处理包括碱洗和酸洗，具体如下：

将钴片基体浸没于3mol/L的NaOH溶液中，在超声清洗器中水浴40-50℃清洗10-20min，去除钴片基体表面的油脂；

再用去离子水冲洗钴片基体后将其转移到稀盐酸中，并在超声清洗器中水浴40-50℃清洗10-20min，去除钴片基体表面氧化物。

4.根据权利要求1所述原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，步骤S2所述超声震荡浸泡的时间为5～10min。

5.根据权利要求1所述原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，步骤S3所述氧化处理采用电阻炉或燃气炉，氧化气氛为空气。

6.根据权利要求1所述原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，步骤S3所述氧化处理的温度为200～600℃，时间为1～32h。

7.根据权利要求6所述原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，其特征在于，步骤S3所述氧化处理的温度为300℃，时间为16h。