[发明专利]一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201510510896.2 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105088346A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;陈善亮;尚明辉;王霖;高凤梅 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超高 长径 掺杂 sic 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线，其特征在于，所述纳米线的相成份为3C-SiC，所述P掺杂SiC纳米线中P掺杂量为0.10-0.15at.％，所述纳米线的直径为50-200nm，长径比为500-3000。
2.根据权利要求1所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线，其特征在于，所述P掺杂SiC纳米线的表面光滑或者粗糙，且粗细均匀或者粗细不一致。
3.一种如权利要求1或2所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
有机前驱体热交联固化和粉碎，得有机前驱体粉末；
碳纸浸渍在含有催化剂的乙醇溶液中，并超声处理；
将有机前驱体粉末和FePO4粉末混合置于石墨坩埚底部，在坩埚顶部放置超声处理后的碳纸；
将石墨坩埚及碳纸一起置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350-1450℃下进行热解；
气氛烧结炉先冷却至1080-1150℃，再随炉冷却至室温，即可得到具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线。
4.根据权利要求3所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述热交联固化在N2气氛下于250-280℃保温20-50min。
5.根据权利要求3所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述的有机前驱体为聚硅氮烷。
6.根据权利要求3所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述的催化剂为浓度0.04-0.06mol/L的Co(NO3)2。
7.根据权利要求3所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述有机前驱体粉末和FePO4粉末的质量比为5：1-2。
8.根据权利要求3所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述气氛烧结炉为石墨电阻气氛烧结炉，热解温度为1380-1420℃。
9.根据权利要求8所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，热解的具体步骤为：将石墨坩埚及碳纸一起置于石墨电阻气氛烧结炉中，气氛炉先抽真空至10-4Pa，再充入Ar气，直至压力为一个大气压，再以22-28℃/min的速率从室温快速升温至1380-1420℃。
10.根据权利要求3所述的具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，气氛烧结炉冷却时的速率为22-28℃/min。
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