[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，本发明的阵列基板的制作方法包括依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤，其中，通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。由于第一透明导电层和第二绝缘层的图形是通过一次构图工艺形成，因而，可减少一张mask，从而降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)按照显示模式可以分为：扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面转换(IPS，In Plane Switching)型和高级超维场开关(ADS,Advanced Super DimensionSwitch)型。其中，ADS型TFT-LCD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

现有的ADS型阵列基板通常包括：衬底基板以及设置在衬底基板上薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层，在制作该种结构的阵列基板时，至少需要6张mask(掩膜版)，制作成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有的阵列基板制作成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤，其特征在于，通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。

优选地，所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括：

形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一透明导电层的第一过孔的步骤，其中，所述第一过孔包括形成在所述第二绝缘层上的第一子孔以及形成在所述第一透明导电层上的第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径。

优选地，所述第一透明导电层包括公共电极，所述第二透明导电层包括像素电极，所述公共电极为板状电极，所述像素电极为狭缝电极；

所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括：

依次形成第一透明导电薄膜和第二绝缘薄膜；

在所述第二绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

利用第一掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域包括对应公共电极所在位置的区域，所述光刻胶去除区域包括对应第一过孔所在位置的区域；

对所述光刻胶去除区域的第二绝缘薄膜进行刻蚀，在所述第二绝缘薄膜上形成第一子孔；

采用过刻工艺对所述光刻胶去除区域的第一透明导电薄膜进行刻蚀，在所述第一透明导电薄膜上形成第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径，所述第一子孔和所述第二子孔连通形成所述第一过孔；

剥离光刻胶，形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。

优选地，所述依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管的图形；

在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层的图形，所述第一绝缘层上形成有第二过孔；