[发明专利]校正电路及装置、温度检测电路及方法、测试方法有效

专利信息
申请号: 201510511595.1 申请日: 2015-08-19
公开(公告)号: CN106468600B 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 唐华;周世聪;荀本鹏;刘飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01K15/00 分类号: G01K15/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 比较器 电阻 校正 校正电路 第一端 输入端 温度检测电路 分配单元 转换单元 采集 测试 待测目标 电流提供 输入基准 校正电流 输出 端接地
【权利要求书】:

1.一种校正电路,其特征在于,包括:转换单元、分配单元,校正电阻、比较器和至少两个选择开关;

所述转换单元适于输出表征待测目标的温度大小的采集电流;

所述分配单元适于根据所述采集电流提供与所述选择开关数量相同的校正电流,并一一输出至所述选择开关的第一端;

所述校正电阻的第一端连接全部选择开关的第二端和所述比较器的第一输入端,所述校正电阻的第一端适于提供采集电压至所述比较器的第一输入端;

所述比较器的第二输入端适于输入基准电压;

所述校正电阻的第二端接地。

2.如权利要求1所述的校正电路,其特征在于,所述分配单元包括:第一电流镜电路和第二电流镜电路;

所述第一电流镜电路包括:第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极后适于输入所述采集电流,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均接地;

所述第二电流镜电路包括:第一PMOS管和至少两个第二PMOS管,所述第二PMOS管的数量与所述选择开关数量相同;

所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极和电源电压,所述第一PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极;所述第二PMOS管的漏极和所述选择开关的第一端一一对应连接。

3.一种校正装置,其特征在于,所述校正装置适于执行第一测试操作,所述校正装置包括:

权利要求1所述的校正电路;

温度控制单元,适于在所述第一测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第一预设温度,所述第一预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值;

第一电压设置单元,适于在所述第一测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第一预设温度的大小相关;

开关选择单元,适于在所述第一测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采集电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。

4.如权利要求3所述的校正装置,其特征在于,还包括:

第一确定单元,适于在所述选择开关中确定第一校正开关,所述第一校正开关为:所述开关选择单元在所述第一测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。

5.如权利要求3所述的校正装置,其特征在于,所述校正装置还适于执行第二测试操作;

所述温度控制单元,还适于在所述第二测试操作中,使所述待测目标的温度稳定在第二预设温度,所述第二预设温度小于所述待测目标的高温阈值且大于低温阈值,所述第二预设温度与所述第一预设温度的不相同;

所述第一电压设置单元,还适于在所述第二测试操作中,将所述基准电压的电压值设置为与所述第二预设温度的大小相关;

所述开关选择单元,还适于在所述第二测试操作中,依次闭合一个或多个选择开关,使所述采集电压按照电压值由大到小或者由小到大的趋势变化。

6.如权利要求5所述的校正装置,其特征在于,还包括:

第二确定单元,适于在所述选择开关中确定第二校正开关,所述第二校正开关为:所述开关选择单元在所述第二测试操作中依次闭合一个或多个选择开关时,使所述比较器输出的比较结果发生跳变的选择开关。

7.一种温度检测电路,其特征在于,包括:

权利要求1所述的校正电路;

第二电压设置单元,适于将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;

第一开关控制单元,适于闭合一个或多个选择开关。

8.一种温度检测电路,其特征在于,包括:

权利要求4所述的校正装置;

第二电压设置单元,适于将所述基准电压的电压值设置为与所述待测目标的高温阈值或低温阈值的大小相关;

第二开关控制单元,适于闭合所述选择开关中的第一校正开关且断开其他选择开关。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510511595.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top