[发明专利]光耦隔离开关电路

权利要求书

1.一种光耦隔离开关电路，包括电源芯片及与所述电源芯片电性连接的电压驱动芯片，其特征在于，所述电压驱动芯片包括光电耦合器件，所述光电耦合器件包括发光器件和光敏器件，其中：

所述电源芯片的第一输出端连接至所述发光器件的第一端，所述发光器件的第二端接地，所述电源芯片的第二输出端连接至所述光敏器件的第一端，所述光敏器件的第二端连接至所述光电耦合器件的输出端；所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压大小控制所述发光器件的工作状态，所述光敏器件根据所述发光器件的工作状态导通或截止，所述电源芯片的第二输出端输出驱动电压，并在所述发光器件导通时通过所述光电耦合器件的输出端输出。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述驱动电压大于所述控制电压，所述光电耦合器件的输出端用于为所述电压驱动芯片中的有源器件供电。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，当所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为高电平时，所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为高电平来控制所述发光器件处于发光状态，所述光敏器件根据所述发光器件处于发光状态而导通，所述电源芯片的第二输出端输出驱动电压至所述光电耦合器件的输出端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为低电平时，所述光电耦合器件根据所述电源芯片的第一输出端输出的控制电压为低电平来控制所述发光器件处于熄灭状态，所述光敏器件根据所述发光器件处于熄灭状态而截止，所述电源芯片的第二输出端停止输出驱动电压至所述光电耦合器件的输出端。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第一电阻，所述电源芯片的第一输出端通过所述第一电阻连接至所述发光器件的第一端。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第二电阻，所述光敏器件的第二端通过所述第二电阻接地。

7.根据权利要求1至6任一项所述的电路，其特征在于，所述发光器件包括发光二极管，其中：

所述电源芯片的第一输出端通过所述第一电阻连接至所述发光二极管的正极，所述发光二极管的负极接地。

8.根据权利要求1至7任一项所述的电路，其特征在于，所述光敏器件包括光敏三极管，其中：

所述电源芯片的第二输出端连接至所述光敏三极管的集电极，所述光敏三极管的发射极通过所述第二电阻接地，所述光敏三极管的发射极连接至所述光电耦合器件的输出端。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述电压驱动芯片为高压驱动芯片，所述光敏三极管包括NPN型光敏三极管，其中：

所述电源芯片的第二输出端连接至所述NPN型光敏三极管的集电极，所述NPN型光敏三极管的发射极通过所述第二电阻接地，所述NPN型光敏三极管的发射极连接至所述高压驱动芯片中所述光电耦合器件的输出端，所述电源芯片的第二输出端用于输出驱动电压至所述NPN型光敏三极管的集电极。

10.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述电压驱动芯片为低压驱动芯片，所述光敏三极管包括PNP型光敏三极管，其中：

所述电源芯片的第二输出端连接至所述PNP型光敏三极管的集电极，所述PNP型光敏三极管的发射极通过所述第二电阻接地，所述PNP型光敏三极管的发射极连接至所述低压驱动芯片中所述光电耦合器件的输出端，所述电源芯片的第二输出端用于输出驱动电压至所述PNP型光敏三极管的集电极。