[发明专利]对嵌入管芯封装使用ABF GC腔的翘曲控制有效
申请号: | 201510511986.3 | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN105448867B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | D·A·劳瑞恩;I·E·Y·陈;D·N·索别斯基 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入 管芯 封装 使用 abf gc 控制 | ||
1.一种器件封装,包括:
具有第一侧和相对第二侧的管芯侧增强层,其中贯穿所述管芯侧增强层形成腔;
具有第一侧和包括带触点的器件侧的相对第二侧的管芯,其中所述管芯被定位在腔内,且所述管芯的第一侧与所述管芯侧增强层的第一侧基本共面;以及
耦合至所述管芯的第二侧的构建结构,所述构建结构包括由图案化的导电材料和绝缘材料构成的多个交替层,其中所述图案化的导电材料层中的至少一个耦合至所述管芯的触点中的一个,其中所述构建结构进一步包括第二增强层。
2.如权利要求1所述的器件封装,其特征在于,所述管芯侧增强层是玻璃织物材料。
3.如权利要求1所述的器件封装,其特征在于,间隙将所述管芯的侧壁与贯通所述管芯侧增强层形成的腔的侧壁隔开。
4.如权利要求3所述的器件封装,其特征在于,选择所述间隙的宽度以为所述器件封装提供要求的刚度。
5.如权利要求4所述的器件封装,其特征在于,所述间隙的宽度在1.0um和1.0mm之间。
6.如权利要求3所述的器件封装,其特征在于,将所述管芯的侧壁与所述腔的侧壁隔开的所述间隙用绝缘材料填充。
7.如权利要求6所述的器件封装,其特征在于,填充将所述管芯的侧壁与所述腔的侧壁隔开的间隙的绝缘材料是与用于构建结构的相同的绝缘材料。
8.如权利要求1所述的器件封装,其特征在于,所述管芯的侧壁与贯通所述管芯侧增强层形成的腔的侧壁接触。
9.如权利要求1所述的器件封装,其特征在于,所述管芯侧增强层的厚度小于所述管芯的厚度。
10.如权利要求1所述的器件封装,其特征在于,所述管芯的第一侧包括管芯背侧膜(DBF),其中所述DBF的表面与所述管芯侧增强层的第一侧基本共面。
11.如权利要求1所述的器件封装,其特征在于,所述管芯侧增强层包括彼此层叠的多个层。
12.如权利要求1所述的器件封装,进一步包括多个管芯,所述多个管芯具有第一侧和包括带触点的器件侧的相对第二侧,其中所述多个管芯被定位在所述腔内,所述多个管芯的所述第一侧与所述管芯侧增强层的所述第一侧基本共面。
13.如权利要求1所述的器件封装,进一步包括贯通所述管芯侧增强层形成的多个腔,其中一个或多个管芯被定位在所述多个腔中的每一个内。
14.如权利要求1所述的器件封装,其特征在于,所述第二增强层包括一个或多个中间玻璃织物增强层。
15.一种用于形成器件封装的方法,包括:
在核的第一和第二表面上分别形成管芯侧增强层;
贯穿所述管芯侧增强层形成腔以使所述核的第一和第二表面的一部分露出;
将第一和第二管芯分别安装至所述核的露出表面,所述第一和第二管芯具有第一侧和包括带触点的器件侧的相对第二侧,其中所述第一和第二管芯分别位于所述腔内,且所述第一和第二管芯的所述第一侧分别接触所述核的第一和第二表面;以及
在所述管芯侧增强层和所述第一和第二管芯的第二侧之上分别形成构建结构,其中所述构建结构进一步包括第二增强层。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述贯通管芯侧增强层的腔通过激光烧蚀工艺形成。
17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述激光烧蚀工艺包括以重复光栅图案削除所述管芯侧增强层的部分,直到露出所述核的表面为止。
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